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$5000
NTA4153NT1G
Single N-channel MOSFET with ESD Protection
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: ONSEMI
Parte do fabricante #: NTA4153NT1G
Ficha de dados: NTA4153NT1G Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SC-75-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 6.184 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
---|---|---|
5 | $0,113 | $0,565 |
50 | $0,090 | $4,500 |
150 | $0,079 | $11,850 |
500 | $0,071 | $35,500 |
3000 | $0,056 | $168,000 |
6000 | $0,052 | $312,000 |
Em estoque: 6.184 PCS
NTA4153NT1G Descrição geral
Designed by Onsemi, the NTA4153NT1G N Channel Mosfet offers superior performance and reliability for your electronic circuits. With a 20V drain source voltage and a continuous drain current of 915mA, this transistor is suitable for a wide range of applications. Its surface mount design and low Rds(On) test voltage of 4.5V make it easy to integrate into your circuit board layout. The NTA4153NT1G also boasts a power dissipation rating of 300mW, ensuring efficient operation even in demanding conditions. And with RoHS compliance, you can trust that this component meets the latest environmental standards
Características
- Improved Power Consumption
- Faster Switching Time
- High Surge Immunity
Aplicativo
- LED Lighting Applications
- Sensor Control Systems
- Electric Vehicle Charging
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Source Content uid | NTA4153NT1G | Pbfree Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
Part Package Code | SC-75 (SOT-416) 3 LEAD | Package Description | SC-75, 3 PIN |
Pin Count | 3 | Manufacturer Package Code | 463-01 |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
Samacsys Manufacturer | onsemi | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
DS Breakdown Voltage-Min | 20 V | Drain Current-Max (ID) | 0.915 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.23 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | R-PDSO-G3 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 0.3 W |
Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Application | SWITCHING |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
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