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Pedidos acima de
$5000NGTB25N120LWG
N-channel insulated gate bipolar transistor for efficient current contr
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: NGTB25N120LWG
Ficha de dados: NGTB25N120LWG Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Tipo de Produto: Single IGBTs
Status RoHS:
Condição de estoque: 7.573 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NGTB25N120LWG Descrição geral
Featuring a cutting-edge Field Stop Trench construction, the NGTB25N120LWG Insulated Gate Bipolar Transistor sets a new standard for power management in demanding switching applications. This IGBT offers superior performance with its low on-state voltage and minimal switching loss, making it a cost-effective solution for industries looking to improve their operational efficiency. Its rugged co-packaged free wheeling diode with low forward voltage adds to its durability and reliability, ensuring consistent performance even in challenging environments
Características
- Compact Size and Low Profile
- High Speed Switching Capability
- Rugged Construction for Shock and Vibration Resistance
- Low EMI and RFI Radiation
Aplicativo
- LED Display Signage
- Electric Vehicle Charging
- Audio Equipment
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Status | Obsolete | Compliance | PbAHP |
| Package Type | TO-247-3 | Case Outline | 340L-02 |
| MSL Type | NA | MSL Temp (°C) | 0 |
| Container Type | TUBE | Container Qty. | 30 |
| ON Target | N | V(BR)CES Typ (V) | 1200 |
| IC Max (A) | 25 | VCE(sat) Typ (V) | 1.85 |
| VF Typ (V) | 1.7 | Eoff Typ (mJ) | 0.8 |
| Eon Typ (mJ) | 3.4 | Gate Charge Typ (nC) | 200 |
| Short Circuit Withstand (µs) | 5 | PD Max (W) | 192 |
| Co-Packaged Diode | Yes |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The NGTB25N120LWG is a silicon carbide power chip designed for high-power applications, offering low on-state resistance and high switching speed. It is suitable for use in electric vehicles, solar inverters, and other high-performance power electronics applications.
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Equivalent
Equivalent products of NGTB25N120LWG chip are Infineon IGBT modules like FF450R12IE4 and FF450R12KT4. These modules have similar specifications including voltage and current ratings, making them suitable replacements for NGTB25N120LWG in various applications. -
Features
The NGTB25N120LWG is a 1200V, 25A NPT IGBT module with a low saturation voltage and low switching losses. It has an isolated baseplate for easy heatsink mounting, built-in temperature sensor, and internal gate resistor for reduced external components. Suitable for high power applications like motor drives, UPS systems, and solar inverters. -
Pinout
The NGTB25N120LWG is a 25A/1200V IGBT transistor with a TO-247 package. It has 3 pins: G (Gate), C (Collector), and E (Emitter). The function of this IGBT is to amplify and control power flow in electronic circuits, commonly used in motor control, power supplies, and inverters. -
Manufacturer
The manufacturer of the NGTB25N120LWG is ON Semiconductor. It is a Fortune 500 company that specializes in designing and manufacturing power management solutions, discrete and integrated semiconductor components for various industries such as automotive, consumer, and industrial electronics. ON Semiconductor is headquartered in Phoenix, Arizona, with operations in multiple countries worldwide. -
Application Field
The NGTB25N120LWG is commonly used in applications such as motor control, solar inverters, welding machines, and uninterruptible power supplies. Its high power density and low on-state voltage make it ideal for high-frequency switching and high-power applications. -
Package
The NGTB25N120LWG chip is in a module type package with a TO-247 form and size.
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