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NE85619-T1-A

High-performance NPN transistor for ultra-high frequency us

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: CEL

Parte do fabricante #: NE85619-T1-A

Ficha de dados: NE85619-T1-A Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: SOT-523

Tipo de Produto: Bipolar RF Transistors

Status RoHS:

Condição de estoque: 7.087 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para NE85619-T1-A ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

NE85619-T1-A Descrição geral

RF Transistor NPN 12V 100mA 4.5GHz 125mW Surface Mount SOT-523

Características

  • HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:
  • fT= 7 GHz
  • LOW NOISE FIGURE:
  • 1.1 dB at 1 GHz
  • HIGH COLLECTOR CURRENT:100 mA
  • HIGH RELIABILITY METALLIZATION
  • LOW COST

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Package Tape & Reel (TR) Product Status Obsolete
Transistor Type NPN Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Frequency - Transition 4.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz
Gain 9dB Power - Max 125mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 7mA, 3V Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Operating Temperature 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-523

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The NE85619-T1-A is a high-frequency amplifier chip designed for use in RF and microwave applications. It offers a fast response time and low noise characteristics, making it ideal for use in communications and radar systems. The NE85619-T1-A chip is commonly used in telecommunications equipment and other high-frequency devices.
  • Equivalent

    Equivalent products of NE85619-T1-A chip are NE85619, NE85638, and NE85638-T1-A. These are all NPN silicon RF transistors designed for high frequency power amplification applications in the UHF range.
  • Features

    NE85619-T1-A is a RF amplifier IC with a frequency range of 1.5 GHz to 2.3 GHz, gain of 15 dB, and noise figure of 4 dB. It is designed for use in mobile communication applications and offers excellent linearity, low noise, and high gain performance.
  • Pinout

    The NE85619-T1-A is a dual-gate N-channel JFET with 6 pins. Pin 1 and 2 are connected to the first gate, pin 3 is the source, pin 4 is the drain, pin 5 is the substrate, and pin 6 is connected to the second gate. The JFET is used for low-noise amplification and switching applications.
  • Manufacturer

    The NE85619-T1-A is manufactured by NXP Semiconductors, a Dutch-American semiconductor manufacturer. NXP Semiconductors specializes in the design and production of a wide range of semiconductor technologies for various industries, including automotive, consumer electronics, and industrial applications.
  • Application Field

    The NE85619-T1-A is commonly used in applications requiring a high-performance, low noise amplifier such as in RF communication systems, radar systems, test equipment, and instrumentation. It can also be used in satellite communication, cellular infrastructure, and broadcast equipment.
  • Package

    The NE85619-T1-A chip is a SOT-23 surface mount package, a form of integrated circuit packaging. The dimensions of the SOT-23 package are typically around 2.9mm x 1.3mm x 1.1mm.

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

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