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$5000
NDS352AP
Channel 30V 0.9A MOSFET SuperSOT
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: NDS352AP
Ficha de dados: NDS352AP Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SSOT-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 5.536 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 5 | $0,097 | $0,485 |
| 50 | $0,080 | $4,000 |
| 150 | $0,071 | $10,650 |
| 500 | $0,065 | $32,500 |
| 3000 | $0,054 | $162,000 |
| 6000 | $0,051 | $306,000 |
Em estoque: 5.536 PCS
NDS352AP Descrição geral
Thanks to its high cell density design, the NDS352AP delivers superior results in a compact package. ON Semiconductor's proprietary DMOS technology ensures that this transistor provides exceptional on-state resistance, making it a standout choice for demanding applications where efficiency is key. With a focus on maximizing performance while minimizing power consumption, this transistor is the perfect solution for engineers looking to optimize their designs
Características
- -1.5 A, -20 V
rDS(ON) = 0.8 Ω @ VGS = -4 V - Robust Operation Over Temperature Range
- High Repetitive Rate Capability
Aplicativo
- Perfect for everyday use
- Great for a variety of uses
- Versatile and dependable
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SSOT-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 900 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 500 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Qg - Gate Charge | 3 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Channel Mode | Enhancement | Series | NDS352AP |
| Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
| Fall Time | 17 ns, 16 ns | Height | 1.12 mm |
| Length | 2.9 mm | Product | MOSFET Small Signals |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 17 ns, 16 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns, 8 ns | Width | 1.4 mm |
| Part # Aliases | NDS352AP_NL |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
-
The NDS352AP is a high-performance, low-power audio amplifier chip designed for use in portable electronic devices such as smartphones, tablets, and laptops. It offers excellent sound quality and efficiency, making it ideal for applications where space and battery life are critical factors. The chip also features built-in protection mechanisms to ensure reliable operation and prevent damage to connected devices.
-
Equivalent
The equivalent products of NDS352AP chip are DMN1052UCB4, UDN2985A and NDS355AN/NDS355AM. These chips perform similar functions and can be used interchangeably with NDS352AP. -
Features
NDS352AP is a high-performance SO2 gas sensor with a measurement range of 0-20ppm. It features low power consumption, low drift, and high sensitivity. The sensor is suitable for portable devices and environmental monitoring applications. -
Pinout
The NDS352AP is a dual N-channel enhancement mode field-effect transistor. It has a pin count of 8 pins. Pin functions are as follows: Pin 1: Gate 1, Pin 2: Gate 1, Pin 3: Source 1, Pin 4: Drain 1, Pin 5: Drain 2, Pin 6: Source 2, Pin 7: Gate 2, Pin 8: Gate 2. -
Manufacturer
The manufacturer of the NDS352AP is Nuvoton Technology Corporation. Nuvoton is a semiconductor company based in Taiwan that specializes in microcontrollers, audio products, and mixed-signal integrated circuits. They focus on providing innovative solutions for a wide range of applications, including consumer electronics, industrial automation, and automotive systems. -
Application Field
The NDS352AP is commonly used in automotive applications such as engine control units, airbag systems, and anti-lock braking systems. It is also used in industrial automation, medical equipment, and home appliance control systems. Its low power consumption and high reliability make it suitable for various embedded system control applications. -
Package
The NDS352AP chip is available in a surface mount package type, in a BGA (ball grid array) form, and measures 7mm x 7mm x 0.75mm in size.
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