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$5000MRFE6VP5600HR5
RF Mosfet 50 V 100 mA 230MHz 25dB 600W NI-1230-4H
Marcas: NXP USA Inc.
Parte do fabricante #: MRFE6VP5600HR5
Ficha de dados: MRFE6VP5600HR5 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-979A
Tipo de Produto: RF FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 8.909 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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MRFE6VP5600HR5 Descrição geral
The MRFE6VP5600HR5 is a high-power RF transistor produced by NXP Semiconductors, engineered to excel in industrial, scientific, and medical (ISM) applications, as well as in radio broadcast systems and RF power amplifiers. Operating at a frequency range of 1.8 to 600 MHz, this transistor delivers a maximum output power of 600 watts, making it an essential component in high-power RF applications. Featuring advanced MOSFET technology and a robust design, the MRFE6VP5600HR5 guarantees exceptional reliability and performance in demanding operational scenarios. With a voltage rating of 65 volts and a gain of 18.5 dB, it is perfectly suited to meet the high-power amplification needs of diverse industries. Additionally, it offers high efficiency, with a typical drain efficiency of 70% at peak power levels, ensuring both exceptional performance and cost-effectiveness. Packaged in a NI-1230H-3 Cu flange, the MRFE6VP5600HR5 allows for easy mounting onto a heatsink, enabling effective thermal management for optimum performance and prolonged lifespan
Características
- Durable and reliable
- Efficient power delivery
- Robust design for heavy use
Aplicativo
- Explore new territories
- Power up your systems
- Innovate with confidence
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Status | Active | Technology | LDMOS |
| Configuration | Dual | Frequency | 230MHz |
| Gain | 25dB | Voltage - Test | 50 V |
| Current - Test | 100 mA | Power - Output | 600W |
| Voltage - Rated | 130 V | Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SOT-979A | Supplier Device Package | NI-1230-4H |
| Base Product Number | MRFE6 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The MRFE6VP5600HR5 is a high-power RF transistor chip designed for use in applications such as industrial, scientific, and medical equipment, as well as broadcast transmitters. It operates at frequencies up to 600 MHz and offers high power gain, efficiency, and ruggedness. The chip is well-suited for high-power RF amplifier designs.
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Equivalent
The equivalent products of the MRFE6VP5600HR5 chip are the MRFE6VP5600H, MRF6VP5600H, and MRF6VP5600HR5. These chips are all part of the MRFE6VP5600H series and are designed for use in high-power RF applications. -
Features
The MRFE6VP5600HR5 is a high-power RF transistor designed for use in applications such as radio frequency amplifiers, industrial, scientific, and medical systems. It features a high gain, high linearity, and rugged design for reliable performance in high-power RF amplifiers. Additionally, it offers a wide frequency range and high efficiency. -
Pinout
The MRFE6VP5600HR5 is a high-power RF transistor with a pin count of 2. It is a 1400W, 50V, unmatched LDMOS transistor designed for use in high-power industrial, scientific and medical applications. It offers high gain, efficiency, and ruggedness. -
Manufacturer
The MRFE6VP5600HR5 is manufactured by NXP Semiconductors, a Dutch multinational semiconductor manufacturer. NXP Semiconductors primarily designs and manufactures semiconductor and IC products for automotive, security, and Internet of Things applications. -
Application Field
The MRFE6VP5600HR5 is commonly used in industrial, medical, scientific, and broadcasting applications. It is suitable for high-power RF amplification in radio and television transmitters, magnetic resonance imaging (MRI) equipment, particle accelerators, and other high-frequency communication systems. -
Package
The MRFE6VP5600HR5 chip is packaged in a NI-780-4 form, which is a flange mount package. It has a size of 16.764mm x 10.922mm.
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