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Pedidos acima de
$5000MGSF1N02LT1G
Low-power control for small signals and sensor
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: MGSF1N02LT1G
Ficha de dados: MGSF1N02LT1G Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT23-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.228 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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MGSF1N02LT1G Descrição geral
With its compact size and impressive performance capabilities, the MGSF1N02LT1G is a versatile component that can enhance the efficiency of power management systems in a range of devices. Its low power loss ensures that energy is conserved, making it an excellent choice for battery-powered products like PCMCIA cards and cordless telephones. Whether used in a commercial or consumer electronics setting, this MOSFET delivers reliable performance and helps to optimize power usage
Características
- Compact Design for Space Efficiency
- High Surge Current Capability
- Low Thermal Resistance for Cooling
Aplicativo
- Smart Wearable Technology
- Miniature Power Supplies
- Power Optimization Solutions
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | SOT-23-3 | Case Outline | 318-08 |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 3000 |
| ON Target | N | Channel Polarity | N-Channel |
| Configuration | Single | V(BR)DSS Min (V) | 20 |
| VGS Max (V) | 20 | VGS(th) Max (V) | 2.4 |
| ID Max (A) | 0.35 | PD Max (W) | 0.4 |
| RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | 130 | RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 90 |
| Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 3.2 | Ciss Typ (pF) | 125 |
| Pricing ($/Unit) | $0.1188Sample |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The MGSF1N02LT1G is a power MOSFET transistor designed for switching applications in low voltage circuits. It has a maximum drain-source voltage of 20V, low on-resistance, and a high continuous drain current rating. This chip is ideal for use in portable electronic devices and power management systems.
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Equivalent
Some equivalent products of the MGSF1N02LT1G chip are the MGSF1N02LT1, MGSF1N02CLT1G, and MGSF1N02CLT1. These chips are all N-channel enhancement mode power field-effect transistors designed for use in power management applications. -
Features
MGSF1N02LT1G is a N-Channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 1A and a low threshold voltage of 920mV. It has a small SOT-563 surface mount package, making it suitable for space-constrained applications. Its low on-resistance and fast switching speed make it ideal for power management in portable devices. -
Pinout
MGSF1N02LT1G is a Surface Mount Small-Signal MOSFET with a pin count of 3. The function of this device is to provide switching and amplification capabilities in electronic circuits, typically in low-power applications. -
Manufacturer
MGSF1N02LT1G is manufactured by ON Semiconductor, a leading global supplier of energy-efficient semiconductor solutions. ON Semiconductor focuses on power and signal management, discrete, logic, and custom devices for automotive, communications, consumer, industrial, and medical applications. -
Application Field
MGSF1N02LT1G is a low threshold N-channel enhancement mode MOSFET ideal for applications in power management, DC-DC converters, battery management, and load switching. It can also be used in portable devices, laptops, tablets, and LED lighting systems due to its low on-resistance and high current handling capabilities. -
Package
The MGSF1N02LT1G chip is a surface mount SOT-23 package with a form of 3 pins. The size of the chip is 2.9mm x 1.3mm x 1.1mm.
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