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K4B4G1646E-BCK0
Marcas: SAMSUNG
Parte do fabricante #: K4B4G1646E-BCK0
Ficha de dados: K4B4G1646E-BCK0 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: BGA96
Tipo de Produto: Memória
Status RoHS:
Condição de estoque: 5732 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaK4B4G1646E-BCK0 Descrição geral
The 4Gb DDR3 SDRAM B-die is organized as a 32Mbit x 16 I/Os x 8banks, device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 2133Mb/sec/pin (DDR3-2133) for general applications.Key Features• JEDEC standard 1.5V(1.425V~1.575V)• VDDQ = 1.5V(1.425V~1.575V)• 400 MHz fCK for 800Mb/sec/pin, 533MHz fCK for 1066Mb/sec/pin, 667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin, 800MHz fCK for 1600Mb/sec/pin, 933MHz fCK for 1866Mb/sec/pin, 1066 MHz fCK for 2133Mb/sec/pin• 8 Banks• Programmable CAS Latency(posted CAS): 5,6,7,8,9,10,11,12,13,14• Programmable Additive Latency: 0, CL-2 or CL-1 clock• Programmable CAS Write Latency (CWL) = 5 (DDR3-800), 6 (DDR3-1066), 7 (DDR3-1333) , 8 (DDR3-1600), 9 (DDR3-1866) and 10 (DDR3-2133)• 8-bit pre-fetch• Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless read or write [either On the fly using A12 or MRS]• Bi-directional Differential Data-Strobe• Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)• On Die Termination using ODT pin• Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C
Características
Aplicativo
Especificações
Parâmetro
Valor
Parâmetro
Valor
Manufacturer
SAMSUNG
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
Garantias
1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.
2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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![produtos]( "produtos")
Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The K4B4G1646E-BCK0 is a DDR4 SDRAM chip commonly used in computer memory modules. It offers a capacity of 4 gigabits and operates at a high speed, making it suitable for various computing tasks. This chip is designed to provide efficient performance and reliability in memory-intensive applications.
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Equivalent
The equivalent products of K4B4G1646E-BCK0 chip are SK Hynix H5ANAG6NCJR-VKG/ VKR, Samsung K4B4G1646E-BCMH, and Micron MT41K512M16HA-125:E. These products have similar specifications in terms of capacity, speed, and type of memory technology used. -
Features
K4B4G1646E-BCK0 is a DRAM module with a capacity of 4GB. It operates at a speed of 1600MHz and has a voltage rating of 1.35V. It uses DDR3 technology and has a 512Mb memory organization. The module is designed for use in desktop computers and laptops. It is manufactured by Samsung. -
Pinout
The K4B4G1646E-BCK0 is a DDR4 SDRAM chip with a 96-ball FBGA package. Its pin count is 96. Functionally, it serves as a memory chip, commonly used in computer systems and other electronic devices for data storage and retrieval. -
Manufacturer
The manufacturer of the K4B4G1646E-BCK0 is Samsung. Samsung is a multinational conglomerate known for electronics, including smartphones, TVs, and semiconductor technology. They're one of the largest technology companies globally, with a significant presence in various sectors such as consumer electronics, semiconductors, and telecommunications. -
Application Field
The K4B4G1646E-BCK0 is a DDR4 SDRAM chip commonly used in computer memory modules. It finds application in various devices such as laptops, desktops, servers, and gaming consoles, enhancing their performance by providing high-speed data access and transfer capabilities. -
Package
The K4B4G1646E-BCK0 chip is a BGA package type with a form factor of 78-ball FBGA and a size of 8 Gb (1 GB).
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A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
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