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Pedidos acima de
$5000K4T51163QJ-BCE6000
Ncnr As Of Oct 2013 Replacement: K4T51163QQ-BCE6000
Marcas: SAMSUNG
Parte do fabricante #: K4T51163QJ-BCE6000
Ficha de dados: K4T51163QJ-BCE6000 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: FBGA-84
Tipo de Produto: DRAM Chip
Status RoHS:
Condição de estoque: 6.554 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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A Ovaga possui um grande estoque de K4T51163QJ-BCE6000 DRAM Chip de SAMSUNG e garantimos que são peças originais e novas, provenientes diretamente de SAMSUNG Podemos fornecer relatórios de testes de qualidade para K4T51163QJ-BCE6000 a seu pedido. Para obter um orçamento, basta preencher a quantidade necessária, nome de contato e endereço de e-mail no formulário de orçamento rápido à direita. Nosso representante de vendas entrará em contato com você dentro de 12 horas.
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| EU RoHS | Yes | RoHS Version | 2011/65/EU, 2015/863 |
| ECCN | EAR99 | Automotive | No |
| Supplier Cage Code | 1542F | HTSUSA | 8542320028 |
| Schedule B | 8542320015 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
Garantias
1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.
2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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![produtos]( "produtos")
Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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![Saco antiestático]( "Saco antiestático")
Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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![Caixas de embalagem]( "Caixas de embalagem")
Etapa5 :Caixas de embalagem
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![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The K4T51163QJ-BCE6000 is a DDR3 SDRAM chip designed for use in various electronic devices, such as computers and mobile devices. It offers a storage capacity of 4 GB and a clock speed of 1600 MHz, making it suitable for high-performance applications. Additionally, it features low power consumption and reliability, making it an ideal choice for demanding computing tasks.
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Equivalent
The equivalent products of K4T51163QJ-BCE6000 chip are Hynix H5PS5162GFR-S6C, Micron MT47H64M16HR-3, Samsung K4T51083QG and SK Hynix H5TQ4G63AFR chip. -
Features
1. 512Mb DDR2 SDRAM 2. 32Mx16 3. Speed: 600MHz 4. Supply Voltage: 1.8V 5. Organization: 4 Banks 6. CAS Latency: CL=5 7. Interface: 60-Ball FBGA Package 8. Industrial temperature range: -40°C to 85°C 9. RoHS Compliant -
Pinout
The K4T51163QJ-BCE6000 is a 512Mb DDR2 SDRAM memory chip with a 84-ball FBGA package. It has a pin count of 84 pins and functions as a memory storage solution for various electronic devices such as computers, printers, and networking equipment. -
Manufacturer
The manufacturer of the K4T51163QJ-BCE6000 is Samsung. Samsung is a South Korean multinational conglomerate company that specializes in various sectors, including technology, electronics, and telecommunications. It is one of the largest manufacturers of consumer electronics and semiconductors in the world. -
Application Field
The K4T51163QJ-BCE6000 is commonly used in various electronic devices such as smartphones, tablets, laptops, and digital cameras. It can also be found in gaming consoles, networking equipment, and automotive applications. Its high performance and reliability make it suitable for a wide range of memory storage needs in consumer electronics and industrial applications. -
Package
The K4T51163QJ-BCE6000 chip comes in a 60-ball FBGA package in a 8Gb (1Gx8) form with dimensions of 8.5mm x 11.5mm.
Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda
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![produtos]( "produtos")
Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
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![quantity]( "quantity")
A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.
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![shipping]( "shipping")
A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
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![garantia]( "garantia")
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