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JANTX2N6766
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3
Marcas: Microsemi Corporation
Parte do fabricante #: JANTX2N6766
Ficha de dados: JANTX2N6766 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-204AE
Status RoHS:
Condição de estoque: 6617 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaJANTX2N6766 Descrição geral
N-Channel 200 V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
Características
- Avalanche Energy Rating
- Dynamic dv/dt Rating
- Simple Drive Requirements
- Ease of Paralleling
- Hermetically Sealed
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Package | Bulk | Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Power Dissipation (Max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Grade | Military |
| Qualification | MIL-PRF-19500/543 | Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-3 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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![produtos]( "produtos")
Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The JANTX2N6766 is a high-frequency, high-gain silicon NPN transistor designed for use in applications requiring low noise and high linearity. It is commonly used in RF and microwave amplifier circuits, as well as in oscillator and mixer stages. With a maximum power dissipation of 3 watts and a frequency range of up to 4 GHz, the JANTX2N6766 is a versatile and reliable component in electronic systems.
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Equivalent
The equivalent products of JANTX2N6766 chip are NTE128, 2N6766, ECG128, JANTXV2N6766, and T2N6766. These are all high-power NPN bipolar junction transistors that can be used in place of the JANTX2N6766 chip in various electronic applications. -
Features
JANTX2N6766 is a high-reliability, high-power NPN bipolar junction transistor with a maximum power dissipation of 30 watts. It has a minimum current gain of 40 and a maximum collector-emitter voltage of 150 volts. It is designed for use in demanding applications where reliability and performance are critical. -
Pinout
The JANTX2N6766 is a hermetically sealed NPN bipolar junction transistor with a pin count of 3. Pin 1 is the emitter, pin 2 is the base, and pin 3 is the collector. It is designed for high reliability and performance in military and aerospace applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the JANTX2N6766 is Microsemi Corporation. It is a company that specializes in designing and producing high-performance semiconductor products, including power management solutions, RF and microwave components, and integrated circuits for various applications in aerospace, defense, automotive, industrial, and communications sectors. -
Application Field
The JANTX2N6766 is a high-reliability, high-power NPN bipolar junction transistor commonly used in applications requiring high power amplification such as in RF and microwave transmissions, radar systems, and power amplifiers. It is also suitable for use in military, aerospace, and other critical applications where reliability and performance are essential. -
Package
The JANTX2N6766 chip comes in a TO-39 metal can package type, with a through-hole mounting form. The size of the package is approximately 9.1 mm in diameter and 14.5 mm in height.
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