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Pedidos acima de
$5000IXTH20N60
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Marcas: IXYS CORP
Parte do fabricante #: IXTH20N60
Ficha de dados: IXTH20N60 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 7.519 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXTH20N60 Descrição geral
The High Voltage series of N-Channel Standard MOSFETs are suitable for a wide variety of power switching systems, including high-voltage power supplies, capacitor discharge circuits, pulse circuits, and current regulators.
Características
- International standard packages
- Fast switching times
- Avalanche rated
- Rugged Polysilicon Gate Cell structure
- Ultra-low R
- DS(on)
Aplicativo
- Capacitor discharge circuits
- High voltage power supplies
- Pulse circuits
- Level shifting
- Solid State Relays
- Triggers
- Advantages:
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Transferred | Ihs Manufacturer | IXYS CORP |
| Part Package Code | TO-247AD | Package Description | TO-247AD, 3 PIN |
| Pin Count | 3 | Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 | HTS Code | 8541.29.00.95 |
| Case Connection | ISOLATED | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 600 V | Drain Current-Max (ID) | 20 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.35 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95 Code | TO-247AD | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
| JESD-609 Code | e3 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLANGE MOUNT |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation Ambient-Max | 300 W | Power Dissipation-Max (Abs) | 300 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 80 A | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | NO | Terminal Finish | MATTE TIN |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 10 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IXTH20N60 is a high voltage and high speed switching N-channel power MOSFET chip commonly used in power electronics applications. It can handle a maximum voltage of 600V and a continuous current of 20A. Its compact size and efficient operation make it a popular choice for a wide range of industrial and consumer electronics projects.
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Equivalent
Some equivalent products of the IXTH20N60 chip are the IRG4PH50UD and the HGTG20N60A4D. These chips are power semiconductor devices used for various applications such as motor control, power supplies, and inverters. They all offer similar specifications and performance characteristics to the IXTH20N60. -
Features
IXTH20N60 is a Power MOSFET with a maximum voltage rating of 600V, continuous drain current of 20A, and a low on-resistance of 0.2 ohms. It offers high power handling capability, fast switching speeds, and low gate charge. This MOSFET is suitable for high power applications such as power supplies, inverters, and motor control. -
Pinout
The IXTH20N60 is a high voltage power MOSFET with a TO-247 package type. It has 3 pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin is used to control the flow of current between the Drain and Source pins, making it ideal for high voltage applications. -
Manufacturer
The IXTH20N60 is manufactured by IXYS Corporation, a global semiconductor company that specializes in power and advanced technology platforms. They develop and produce a wide range of power semiconductor devices, integrated circuits, and RF power products used in various industries such as automotive, industrial, healthcare, and consumer electronics. -
Application Field
The IXTH20N60 is a high voltage, high speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) that is commonly used in power electronic applications such as motor control, power supplies, inverters, and converters. It is ideal for applications that require fast switching speeds, high efficiency, and high voltage capabilities. -
Package
The IXTH20N60 chip comes in a TO-247 package type. It is in a transistor form and features a size of 25mm x 16mm x 10mm.
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