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Pedidos acima de
$5000IXFP7N100P
Trans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Marcas: IXYS
Parte do fabricante #: IXFP7N100P
Ficha de dados: IXFP7N100P Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-220-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 7.754 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFP7N100P Descrição geral
Polar™ HiPerFETs (IXF) combine the strengths of the Polar Standard product family with a faster body diode, whose reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of HiPerFETs provides lowest RDS(on),low RthJC, low Qg, and enhanced DV/DT capability.
Características
- International Standard Packages
- Dynamic dv/dt Rating
- Avalanche Rated
- Fast Intrinsic Rectifier
- Low Q
- G
- and R
- DS(on)
- Low Drain-to-Tab Capacitance
- Low Package Inductance
- Advantages:
- Easy to Mount
- Space Savings
Aplicativo
- Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
- DC-DC Converters
- Battery Chargers
- Uninterrupted Power Supplies
- AC Motor Drives
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Series | HiPerFET™, Polar | Package | Tube |
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9Ohm @ 3.5A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2590 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220-3 | Package / Case | TO-220-3 |
| Base Product Number | IXFP7N100 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IXFP7N100P is a high voltage MOSFET power transistor designed for use in power supply applications. It has a maximum drain-source voltage of 1000V and a continuous drain current rating of 7A. With a low on-resistance and fast switching speeds, the IXFP7N100P is ideal for high power and efficiency requirements in various industrial and automotive applications.
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Equivalent
Some equivalent products of IXFP7N100P chip are FDPF7N1PZ, IRFP460, and MTP7N100E. These are similar power MOSFETs with comparable specifications and performance. -
Features
The IXFP7N100P is a high voltage power MOSFET with a breakdown voltage of 1000V, a continuous drain current of 7A, and a low on-resistance of 1.6 ohms. It is designed for use in high voltage applications such as power supplies, motor controls, and inverters. -
Pinout
The IXFP7N100P is a power MOSFET transistor with a TO-220AB package. It has 3 pins: the gate (G), drain (D), and source (S). The function of this transistor is to control high power levels in electronic circuits. -
Manufacturer
IXYS Corporation is the manufacturer of IXFP7N100P. IXYS is a power semiconductor company that designs, manufactures, and markets a range of power semiconductors, digital and analog integrated circuits, and RF power products for various applications, including power and energy management systems, environmental protection, aerospace, and telecommunications. -
Application Field
IXFP7N100P is a high-voltage power MOSFET that can be used in a variety of applications such as power supplies, motor control, lighting, and renewable energy systems. It is suitable for use in industrial, automotive, and consumer electronics applications where high voltage and high current handling capabilities are required. -
Package
The IXFP7N100P chip comes in a TO-220 package. It is in the form of a single MOSFET transistor with a size of approximately 10.4mm x 4.8mm x 9.0mm.
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