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IXFK140N30P
Trans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Marcas: LITTELFUSE INC
Parte do fabricante #: IXFK140N30P
Ficha de dados: IXFK140N30P Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-264-3
Tipo de Produto: MOSFET
Status RoHS:
Condição de estoque: 7836 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaIXFK140N30P Descrição geral
Polar™ HiPerFETs (IXF) combine the strengths of the Polar Standard product family with a faster body diode, whose reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of HiPerFETs provides lowest RDS(on),low RthJC, low Qg, and enhanced DV/DT capability.
Características
- International Standard Packages
- Dynamic dv/dt Rating
- Avalanche Rated
- Fast Intrinsic Rectifier
- Low Q
- G
- and R
- DS(on)
- Low Drain-to-Tab Capacitance
- Low Package Inductance
- Advantages:
- Easy to Mount
- Space Savings
Aplicativo
- Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
- DC-DC Converters
- Battery Chargers
- Uninterrupted Power Supplies
- AC Motor Drives
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | LITTELFUSE INC | Package Description | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Samacsys Manufacturer | LITTELFUSE | Additional Feature | AVALANCHE RATED |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 5000 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 300 V |
| Drain Current-Max (ID) | 140 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.024 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-264AA |
| JESD-30 Code | R-PSFM-T3 | JESD-609 Code | e1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | FLANGE MOUNT | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 1040 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 300 A | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | NO | Terminal Finish | TIN SILVER COPPER |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 10 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IXFK140N30P is a power MOSFET chip designed for high-frequency switching applications. It features a low on-resistance and high current capability, making it ideal for use in power converters, motor control, and other high-power applications. The chip offers reliable and efficient performance in a compact package, making it popular in various electronic devices.
-
Equivalent
The equivalent products of IXFK140N30P chip are Infineon FZ1400R30KF2 and Fairchild FS2M110MRF. These chips have similar specifications and can be used as alternatives to the IXFK140N30P in certain applications. -
Features
- High voltage power MOSFET - 300V drain-source voltage - 140A continuous drain current - Low on-resistance of 0.035 ohms - Fast switching capability - TO-264 package - RoHS compliant -
Pinout
The IXFK140N30P is a MOSFET transistor with a TO-264 package. It has 3 pins: gate, drain, and source. The gate pin is used to control the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
IXYS Corporation is the manufacturer of IXFK140N30P. IXYS Corporation is a semiconductor company specializing in power and analog semiconductor technologies. They design, develop, and manufacture advanced power semiconductors, integrated circuits, and RF systems for a variety of industries including automotive, telecommunications, and industrial applications. -
Application Field
IXFK140N30P is a high-voltage power MOSFET commonly used in applications such as automotive, industrial, and telecommunications power systems that require high efficiency and reliability. It can be used in switch-mode power supplies, motor control, inverters, and DC-DC converters. -
Package
The IXFK140N30P chip is in a TO-264 package, with a form of N-Channel Enhancement mode power MOSFET that has the dimensions 0.650 x 0.620 x 0.190 inches (16.51 x 15.75 x 4.82 mm).
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