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$5000IRG4PH30KD
IRG4PH30KD: IGBT
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: Infineon Technologies
Parte do fabricante #: IRG4PH30KD
Ficha de dados: IRG4PH30KD Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Tipo de Produto: Single IGBTs
Status RoHS:
Condição de estoque: 6.177 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IRG4PH30KD Descrição geral
The IRG4PH30KD is a top-of-the-line insulated gate bipolar transistor (IGBT) that boasts impressive specifications for demanding power electronic applications. With a voltage rating of 1200V and a current rating of 49A, this IGBT is capable of handling high-power loads with ease. Its maximum power dissipation of 310W further highlights its robust design and reliability in challenging operating conditions
Características
- Superior soft recovery diode performance ensured
- Rapid switching and high speed operation possible
- Easy installation and maintenance guaranteed
- High surge current handling capability enabled
- Excellent thermal stability and reliability ensured
- Safe and reliable operation in all environments
Aplicativo
- Emergency backup systems
- Railway signaling systems
- Marine navigation equipment
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Packaging | Bag | Part Status | Obsolete |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 40 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 4.2V @ 15V, 10A |
Power - Max | 100 W | Switching Energy | 950µJ (on), 1.15mJ (off) |
Input Type | Standard | Gate Charge | 53 nC |
Td (on/off) @ 25°C | 39ns/220ns | Test Condition | 800V, 10A, 23Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
Supplier Device Package | TO-247AC |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IRG4PH30KD is a high-speed low-loss insulated gate bipolar transistor (IGBT) chip designed for power electronics applications. It features a breakdown voltage of 1200V, a continuous collector current of 55A, and a low turn-off switching energy. This chip is commonly used in motor drives, inverters, and power supplies.
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Equivalent
An equivalent product of IRG4PH30KD chip is the IRG4PH40KD chip, as they both have similar specifications and functionalities. Other potential alternatives include the IRG4PH20KD and IRG4PH50KD chips, depending on specific requirements and compatibility with the application. -
Features
- High voltage insulated gate bipolar transistor (IGBT) with 1200V breakdown voltage - Designed for high efficiency and ruggedness in industrial applications - Low conduction and switching losses for improved power efficiency - Capable of handling high current (30A) and high-frequency switching - Integrated temperature sensor for reliable thermal management. -
Pinout
The IRG4PH30KD is a 600V, 50A IGBT with a TO-247 package. It has 3 pins: a collector (C), gate (G), and emitter (E). The function of this IGBT is to switch high power loads in applications such as motor drives and power converters. -
Manufacturer
IRG4PH30KD is manufactured by International Rectifier, a semiconductor company that produces power management and digital control systems. International Rectifier focuses on developing innovative technology solutions for a wide range of industries including aerospace, automotive, and consumer electronics. -
Application Field
The IRG4PH30KD is commonly used in high-power industrial applications such as motor control, power supplies, inverters, and welding equipment. It is ideal for applications that require high voltage, high current, and fast switching capabilities. -
Package
The IRG4PH30KD chip is a IGBT module with a package type of TO-247AC, a tab pin form, and a size of 25.4mm x 15.8mm x 5.84mm.
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Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
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