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$5000
IRFS4115TRLPBF
Power dissipation of 375W with a 5V gate-to-source voltage at 250uA
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: Infineon Technologies
Parte do fabricante #: IRFS4115TRLPBF
Ficha de dados: IRFS4115TRLPBF Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: D2PAK-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 7.614 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
---|---|---|
1 | $2,441 | $2,441 |
10 | $2,137 | $21,370 |
30 | $1,944 | $58,320 |
100 | $1,556 | $155,600 |
500 | $1,467 | $733,500 |
800 | $1,429 | $1143,200 |
Em estoque: 7.614 PCS
IRFS4115TRLPBF Descrição geral
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 99 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 150 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 10.3 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 39 / Rise Time ns = 73 / Turn-OFF Delay Time ns = 41 / Turn-ON Delay Time ns = 73 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = D2PAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 375
Características
- Low standby current
- Fast switching speed
- Economical design ensures affordability
- Precision timing guaranteed
Aplicativo
- Switched-mode power
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Source Content uid | IRFS4115TRLPBF | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
Factory Lead Time | 53 Weeks, 1 Day | Samacsys Manufacturer | Infineon |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 830 mJ | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 150 V |
Drain Current-Max (ID) | 99 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0121 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-263AB |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 175 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 375 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 396 A |
Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | MATTE TIN OVER NICKEL | Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Application | SWITCHING |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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