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IRFR5410TRPBF
IRFR5410TRPBF is a P-Channel Power MOSFET engineered for power applications
Marcas: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Parte do fabricante #: IRFR5410TRPBF
Ficha de dados: IRFR5410TRPBF Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-252-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 7.801 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $0,520 | $0,520 |
| 10 | $0,450 | $4,500 |
| 30 | $0,401 | $12,030 |
| 100 | $0,360 | $36,000 |
| 500 | $0,289 | $144,500 |
| 1000 | $0,281 | $281,000 |
Em estoque: 7.801 PCS
IRFR5410TRPBF Descrição geral
The Infineon IRFR5410TRPBF is a P Channel power MOSFET designed for high-performance applications. With a Drain Source Voltage Vds of 100V and a Continuous Drain Current Id of 13A, this power transistor is capable of handling high power levels with ease. Its Surface Mount mounting style makes it easy to integrate into various electronic devices, while the Rds(On) Test Voltage of 10V ensures efficient power transfer. The Gate Source Threshold Voltage Max of 4V provides precise control over the switching characteristics of the transistor, making it ideal for use in power management circuits. With a Power Dissipation rating of 66W, this MOSFET can operate reliably under demanding conditions. And with its RoHS compliance, you can rest assured that it meets environmentally friendly standards
Características
- Superior voltage regulation
- High-frequency stability
- Precise current sensing
Aplicativo
- Automotive power management
- Solar inverter circuits
- Industrial lighting systems
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | IRFR5410TRPBF | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 52 Weeks | Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Additional Feature | HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE | Avalanche Energy Rating (Eas) | 194 mJ |
| Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 100 V | Drain Current-Max (ID) | 13 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.205 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95 Code | TO-252AA | JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 2 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 66 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 52 A |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTE TIN OVER NICKEL | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
-
The IRFR5410TRPBF chip is a power MOSFET transistor designed for high-current and high-speed switching applications. It features a low on-resistance and can handle high drain current. It is commonly used in motor control, power supplies, LED drivers, and battery chargers.
-
Equivalent
Some equivalent products of the IRFR5410TRPBF chip are the IRFR5410PBF, IRFR5410TR, and IRFR5410. -
Features
The IRFR5410TRPBF is a power MOSFET transistor with a voltage rating of 100V and a current rating of 36A. It is designed for use in various applications including power supplies, motor controls, and battery chargers. It has a low on-resistance, fast switching speed, and a compact size. -
Pinout
The IRFR5410TRPBF is a 10-pin power MOSFET transistor. Its function is to control the flow of current in electronic devices, typically used as a switching element in power supplies, motor control, and other applications. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of the IRFR5410TRPBF. It is a German semiconductor manufacturing company that specializes in automotive, industrial power control, and chip card and security products. -
Application Field
The IRFR5410TRPBF is a power MOSFET transistor commonly used in automotive and industrial applications such as motor control, power supplies, inverters, and DC-DC converters. It can also be used in various switching applications. -
Package
The IRFR5410TRPBF chip has a package type of DPAK (TO-252AA), a form of SMD, and a size of 6.60mm x 9.30mm.
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