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IRFP451
IRFP451: 14A Si Power Transistor
Marcas: Harris Corporation
Parte do fabricante #: IRFP451
Ficha de dados: IRFP451 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 8.388 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $3,991 | $3,991 |
| 200 | $1,545 | $309,000 |
| 500 | $1,491 | $745,500 |
| 1000 | $1,465 | $1465,000 |
Em estoque: 8.388 PCS
IRFP451 Descrição geral
Used commonly in amplifiers, power supplies, motor control systems, and other power electronics, the IRFP451 offers exceptional reliability and efficiency. Enclosed in a TO-247 package, this transistor allows for efficient heat dissipation, ensuring optimal thermal performance in demanding applications
Características
- Silicon Carbide Material
- Low Loss Performance
- High Reliability Design
Aplicativo
- RF linear amplifiers
- Solar inverters
- Uninterruptible power supplies
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Packaging | Bulk | Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 450 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 7.9A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-247 |
| Package / Case | TO-247-3 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Part points
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The IRFP451 is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) chip commonly used in electronic circuits that require high power handling capabilities. It has a maximum drain-source voltage of 500V and a continuous drain current rating of 12A. The IRFP451 chip is often utilized in power supplies, motor control circuits, and audio amplifiers due to its efficient performance and reliability.
-
Equivalent
Some equivalent products of the IRFP451 chip are IRFP460, IRFP450, IRFP425, and IRFP250. These are also power MOSFET transistors with similar characteristics and specifications. -
Features
The IRFP451 is a power MOSFET with a high voltage and high current capacity. It has low on-resistance and high switching speed, making it suitable for high-power applications. The device is insulated-gate bipolar transistor (IGBT) compatible and has a TO-247AC package for easy mounting and heat dissipation. -
Pinout
The IRFP451 is a power MOSFET with 2 pins: Gate, which controls the on/off state, and Drain, which handles the main current. The pinout is Gate (pin 1) and Drain (pin 2). It is commonly used in power supply applications due to its high current handling capabilities. -
Manufacturer
The IRFP451 is manufactured by Infineon Technologies, a German semiconductor manufacturer specializing in power semiconductors, sensors, and microcontrollers. They provide components for various industries including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The IRFP451 is a power MOSFET typically used in high-power switching applications such as power supplies, motor control, and inverters. It is commonly found in industrial equipment, automotive systems, and power management circuits due to its high voltage handling capabilities and low on-resistance characteristics. -
Package
The IRFP451 chip is typically packaged in a TO-247 form, which is a through-hole package that can be mounted on a PCB. The size of the chip is approximately 17.5 mm x 12.9 mm x 4.4 mm.
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