Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

Pedidos acima de

$5000
ganham $50 um desconto !

IRF7341PBF

High-power MOSFET for demanding applications

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Infineon

Parte do fabricante #: IRF7341PBF

Ficha de dados: IRF7341PBF Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: SOIC-8

Tipo de Produto: FET, MOSFET Arrays

Status RoHS:

Condição de estoque: 6.538 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para IRF7341PBF ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

IRF7341PBF Descrição geral

The IRF7341PBF is a powerhouse when it comes to power management applications. With a maximum drain-source voltage of 55V and a continuous drain current of 5.3A, this dual N-channel MOSFET transistor is designed to deliver top-notch performance. Its low on-resistance of 0.05 ohms at a gate-source voltage of 10V ensures minimal power losses, making it an excellent choice for applications where efficiency is key. Additionally, the IRF7341PBF boasts a low gate charge of 17nC, allowing for swift and effective switching operations

Características

  • Fast and efficient switching
  • Robust design for high-reliability applications
  • Compact package for reduced space usage
  • Surface-mountable for easy integration
  • High-frequency operation for precision control
  • Durable construction for long-lasting performance

Aplicativo

  • Power supply circuits
  • Audio amplifier controls
  • Motor control systems

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOIC-8 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 2 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 55 V
Id - Continuous Drain Current 4.7 A Rds On - Drain-Source Resistance 65 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Qg - Gate Charge 24 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 2 W Channel Mode Enhancement
Brand Infineon Technologies Configuration Dual
Fall Time 13 ns Height 1.75 mm
Length 4.9 mm Product Type MOSFET
Rise Time 3.2 ns Factory Pack Quantity 3800
Subcategory MOSFETs Transistor Type 2 N-Channel
Type Power MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 32 ns
Typical Turn-On Delay Time 8.3 ns Width 3.9 mm
Part # Aliases SP001577408

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

Avaliações e comentários

Avaliações
Por favor, avalie o produto!
Por favor insira um comentário

Envie comentários após fazer login em sua conta.

Enviar

Recomendar

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...