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$5000IRF230
Specifications for IRF230 MOSFET: 200V/9A, 400mΩ@5A&10V, 75W, N Channel TO-3, ROHS compliant
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: Infineon
Parte do fabricante #: IRF230
Ficha de dados: IRF230 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-204AA-2
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 4.044 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IRF230 Descrição geral
The IRF230 power MOSFET is a reliable and efficient component designed for high-speed switching applications in power circuits. With a drain-source voltage rating of 200 volts and a continuous drain current rating of 0.69 amperes, this N-channel MOSFET offers the performance and durability necessary for demanding operating conditions. Its low on-resistance of 4.5 ohms ensures efficient power switching operations, making it suitable for a variety of applications such as motor control, power supplies, lighting, and inverters. The IRF230 also features a gate threshold voltage of 2.0 volts, making it compatible with logic level drive circuits. Constructed using advanced technology, this MOSFET provides high switching performance and reliability, while its TO-39 package with three leads allows for easy mounting on printed circuit boards or heatsinks
Características
- Compliant with RoHS and halogen-free
- Suitable for high-current applications
- Lifetime guarantee for quality assurance
Aplicativo
- Electronic applications
- Power management
- Circuit protection
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-204AA-2 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V | Id - Continuous Drain Current | 9 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 490 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 75 W | Channel Mode | Enhancement |
Brand | Infineon / IR | Configuration | Single |
Fall Time | 40 ns | Height | 7.74 mm |
Length | 39.37 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 80 ns | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 60 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 35 ns | Width | 25.53 mm |
Unit Weight | 0.229281 oz |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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