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Pedidos acima de
$5000IPB019N08N3G
High-power switching device for demanding applications
Marcas: Infineon Technologies
Parte do fabricante #: IPB019N08N3G
Ficha de dados: IPB019N08N3G Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-263-7,D²Pak(6Leads+Tab)
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 8.897 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IPB019N08N3G Descrição geral
N-Channel 80 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Características
- Ideal for high frequency switching and sync. rec.
- Optimized technology for motor drive applications.
- Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance RDS(on)
- Superior thermal resistance
- N-channel - Logic level
- 100% avalanche tested
- Pb-free plating; RoHS compliant
- Qualified according to JEDEC1) for target application
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Series | OptiMOS™ | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 270µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14200 pF @ 40 V |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IPB019N08N3G chip is a power MOSFET transistor designed specifically for automotive applications. It offers low on-resistance and high current capability, making it suitable for various power management functions, such as switch-mode power supplies and motor control. The chip's advanced technology enables efficient power handling and thermal performance, meeting the requirements of automotive systems.
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Features
The IPB019N08N3G is a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) power switch designed for automotive applications. It features a low on-resistance, high current capability, and fast switching performance. It also has a low gate charge and is capable of handling high-temperature environments, making it suitable for use in automotive powertrain, body, and safety systems. -
Pinout
The IPB019N08N3G is a power MOSFET transistor with a TO-263 (D2PAK) package. It has 3 pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin controls the flow of current between the Drain and Source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the IPB019N08N3G is Infineon Technologies. It is a global semiconductor company that specializes in providing solutions for a wide range of applications, including automotive, industrial, and power management. -
Application Field
The IPB019N08N3G is commonly used in applications such as power supplies, motor control, and general-purpose switching. It is a low-voltage, N-channel power MOSFET with a high current handling capability, making it suitable for various electronic devices and equipment that require efficient power management and control. -
Package
The IPB019N08N3G chip is packaged in a power-FLAT5x6 package form. It has a size less than 6 mm x 5.5 mm.
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