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$5000Infineon IHW20N120R3
Insulated Gate Bipolar Transistor with 40A I(C) and 1200V V(BR)CES in N-Channel TO-247 package
Marcas: Infineon
Parte do fabricante #: IHW20N120R3
Ficha de dados: IHW20N120R3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 7.240 peças, novo original
Tipo de Produto: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
---|---|---|
1 | $2,347 | $2,347 |
10 | $2,079 | $20,790 |
30 | $1,912 | $57,360 |
100 | $1,740 | $174,000 |
500 | $1,663 | $831,500 |
1000 | $1,629 | $1629,000 |
Em estoque: 7.240 PCS
IHW20N120R3 Descrição geral
Beyond its raw power and efficiency, the IHW20N120R3 stands sentinel with an array of protective features, including safeguards against short circuits and over-temperature scenarios. These fortifications fortify its reliability, ensuring uninterrupted operation even in the harshest of industrial landscapes. In essence, the IHW20N120R3 embodies not just technological innovation, but a steadfast commitment to excellence in every facet of its design and function
Características
- Powerful monolithic body diode with low forward voltage
- designed for soft commutation only
- TRENCHSTOP™ technology applications offers:
- - very tight parameter distribution
- - high ruggedness, temperature stable behavior
- - low VCEsat
- - easy parallel switching capability due to positive
- temperature coefficient in VCEsat
- Low EMI
- Qualified according to JESD-022 for target applications
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
- Complete product spectrum and PSpice Models:
- http://www.infineon.com/igbt/
Aplicativo
POWER CONTROLEspecificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Manufacturer | Infineon | Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details | Technology | Si |
Package / Case | TO-247-3 | Mounting Style | Through Hole |
Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.48 V | Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V |
Continuous Collector Current at 25 C | 40 A | Pd - Power Dissipation | 310 W |
Minimum Operating Temperature | - 40 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
Series | RC | Brand | Infineon Technologies |
Continuous Collector Current | 40 A | Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 240 |
Subcategory | IGBTs | Tradename | TRENCHSTOP |
Part # Aliases | SP000437702 IHW2N12R3XK IHW20N120R3FKSA1 |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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