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Pedidos acima de
$5000Infineon IHW20N120R2
Insulate Gate Bipolar Transistors with 1200V Voltage Rating and 20A Current Capacity
Marcas: Infineon
Parte do fabricante #: IHW20N120R2
Ficha de dados: IHW20N120R2 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Tipo de Produto: Single IGBTs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IHW20N120R2 Descrição geral
IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 40 A 330 W Through Hole PG-TO247-3-1
Características
- Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage
- Body diode clamps negative voltages
- Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :
- - very tight parameter distribution
- - high ruggedness, temperature stable behavior
- NPT technology offers easy parallel switching capability due to
- positive temperature coefficient in VCE(sat)
- Low EMI
- Qualified according to JEDEC1 for target applications
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
- Complete product spectrum and PSpice Models :
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | Product Category: | IGBT Transistors |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Package / Case: | TO-247-3 | Mounting Style: | Through Hole |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V | Maximum Gate Emitter Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 20 A | Pd - Power Dissipation: | 330 W |
| Minimum Operating Temperature: | - 40 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Packaging: | Tube | Brand: | Infineon Technologies |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 20 A | Height: | 20.95 mm |
| Length: | 15.9 mm | Product Type: | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 240 | Subcategory: | IGBTs |
| Width: | 5.3 mm | Part # Aliases: | SP000212015 IHW20N120R2XK |
| Unit Weight: | 1.340411 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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IHW20N120R2 is a high power MOSFET transistor designed for applications requiring high current and voltage levels. It has a current rating of 20A and a voltage rating of 120V, making it suitable for power electronics and industrial applications. It features low on-state resistance and high switching speed, making it ideal for high efficiency and high frequency applications.
-
Equivalent
The equivalent products of IHW20N120R2 chip are Infineon's co-packed IHW20N120R3 and IHW20N120R5 power modules. These chips have similar specifications and performance characteristics, making them suitable replacements for the IHW20N120R2. -
Features
The IHW20N120R2 is a 1200V, 40A IGBT with ultrafast soft recovery diode. It features low VCE(sat), high switching frequency, short-circuit ruggedness, and high ruggedness. It is suitable for applications such as solar inverters, UPS, welding machines, and motor control. -
Pinout
IHW20N120R2 is a 20A, 1200V IGBT with a TO-247 package. It has 3 pins: gate, collector, and emitter. The gate pin controls the switching of the IGBT, while the collector and emitter pins carry the current flow. -
Manufacturer
IHW20N120R2 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer. Infineon specializes in manufacturing power semiconductors, microcontrollers, and sensors for a variety of industries, including automotive, industrial, and renewable energy. -
Application Field
IHW20N120R2 is commonly used in high power switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), welding equipment, and renewable energy systems. It is also utilized in industrial applications requiring high efficiency and reliability. -
Package
The IHW20N120R2 chip is a high-power IGBT module with a package type of TO-247 and a form of power module. Its size is 34.0mm x 16.5mm x 8.3mm.
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