Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

Pedidos acima de

$5000
ganham $50 um desconto !

IAUT300N08S5N012ATMA2

AEC-Q101 N-CH 80V HSOF

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Infineon Technologies

Parte do fabricante #: IAUT300N08S5N012ATMA2

Ficha de dados: IAUT300N08S5N012ATMA2 Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: 8-PowerSFN

Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs

Status RoHS:

Condição de estoque: 8.605 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para IAUT300N08S5N012ATMA2 ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

IAUT300N08S5N012ATMA2 Descrição geral

The IAUT300N08S5N012ATMA2 is a powerhouse in the world of insulated-gate bipolar transistor (IGBT) modules, featuring a robust current rating of 300A and a sturdy voltage rating of 800V. Its primary purpose is to cater to industrial applications that require high power and efficient switching capabilities. The module showcases a sleek and compact design, making it a versatile choice for integration into various systems across different industrial settings

Características

  • Peak Current: 4.5A
  • Pulse Width Modulation (PWM): Yes
  • Thermal Resistance Junction-Air: 60°C/W

Aplicativo

  • Solar power
  • Wind systems
  • Grid inverters

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Series OptiMOS™ Product Status Active
FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 275µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 231 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 16250 pF @ 40 V
Power Dissipation (Max) 375W (Tc) Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package PG-HSOF-8-1
Package / Case 8-PowerSFN

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The IAUT300N08S5N012ATMA2 is a power MOSFET chip designed for automotive applications. It provides high-performance switching capabilities and efficient power management in vehicle electronic systems. With a low on-resistance and high current handling capacity, this chip is well-suited for use in automotive power distribution, motor control, and battery management systems.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the IAUT300N08S5N012ATMA2 chip are Infineon IPP300N08N3G, NXP PSMN018-100D, and STMicroelectronics STP260NF10. These chips have similar specifications and can be used as alternatives in various applications where the IAUT300N08S5N012ATMA2 chip is used.
  • Features

    IAUT300N08S5N012ATMA2 is a 1200V silicon carbide power module with an integrated gate driver. It has a current rating of 300A, an on-state resistance of 8mΩ, and a switching frequency of 50kHz. It also includes under-voltage, over-current, and over-temperature protection features.
  • Pinout

    The IAUT300N08S5N012ATMA2 is a power MOSFET with a pin count of 5. The function of this MOSFET is to control the flow of power in electronic devices, acting as a switch to regulate voltage and current.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IAUT300N08S5N012ATMA2 is Infineon Technologies, a German multinational corporation that specializes in semiconductors and system solutions for a wide range of industries including automotive, industrial, and power electronics. They are known for their innovative products and technologies in the semiconductor market.
  • Application Field

    The IAUT300N08S5N012ATMA2 can be used in various applications such as industrial motor drives, servo drives, power supplies, battery management systems, and renewable energy systems. It is ideal for applications that require high power density, efficiency, and reliability.
  • Package

    The IAUT300N08S5N012ATMA2 chip is a MOSFET transistor in a TO-220 package. It has a single N-channel, a voltage rating of 80V, a current rating of 25A, and a size of 10.3mm x 12.1mm x 4.5mm.

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

Avaliações e comentários

Avaliações
Por favor, avalie o produto!
Por favor insira um comentário

Envie comentários após fazer login em sua conta.

Enviar

Recomendar

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...