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$5000FZT853TA
This product is a reliable and efficient choice for designers looking for a versatile bipolar transistor in a compact SOT-223-4 package
Marcas: Diodes Incorporated
Parte do fabricante #: FZT853TA
Ficha de dados: FZT853TA Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-223-4
Status RoHS:
Condição de estoque: 7.760 peças, novo original
Tipo de Produto: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
---|---|---|
1 | $0,352 | $0,352 |
10 | $0,309 | $3,090 |
30 | $0,289 | $8,670 |
100 | $0,267 | $26,700 |
500 | $0,255 | $127,500 |
1000 | $0,249 | $249,000 |
Em estoque: 7.760 PCS
FZT853TA Descrição geral
This transistor's fast switching speed, low saturation voltage, and high current gain bandwidth product make it suitable for high-frequency applications, allowing for efficient and responsive performance in demanding electronic systems. Its hFE (DC Current Gain) of 40-400 further enhances its versatility, making it compatible with different circuit designs
Características
- This is a high-power, high-gain silicon transistor
- Suitable for general-purpose switching and amplification
- Collector current of 1A with voltage rating of 30V
- Power dissipation of 1.25W maximum
Aplicativo
- PNP Transistor for power management
- Perfect for audio amplifiers
- Industrial-grade reliability
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | RoHS | Details |
REACH | Details | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-223-4 | Transistor Polarity | NPN |
Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 100 V |
Collector- Base Voltage VCBO | 200 V | Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 340 mV | Maximum DC Collector Current | 6 A |
Pd - Power Dissipation | 3 W | Gain Bandwidth Product fT | 130 MHz |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Series | FZT853 | Brand | Diodes Incorporated |
Continuous Collector Current | 6 A | DC Collector/Base Gain hfe Min | 20 at 10 A, 2 V |
DC Current Gain hFE Max | 100 | Height | 1.65 mm |
Length | 6.7 mm | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
Factory Pack Quantity | 1000 | Subcategory | Transistors |
Technology | Si | Width | 3.7 mm |
Unit Weight | 0.003951 oz |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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