Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

Pedidos acima de

$5000
ganham $50 um desconto !

FQP7N80C 48HRS

High-performance Power MOSFET in a TO-220 package, suitable for N-Channel operation with a current rating of 7 A and a low on-resistance of 1.9 Ω

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Onsemi

Parte do fabricante #: FQP7N80C

Ficha de dados: FQP7N80C Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: TO-220-3

Status RoHS:

Condição de estoque: 5.921 peças, novo original

Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade Preço unitário Preço Externo
1 $1,225 $1,225
10 $1,053 $10,530
30 $0,958 $28,740
100 $0,851 $85,100
500 $0,803 $401,500
1000 $0,783 $783,000

Em estoque: 5.921 PCS

- +

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para FQP7N80C ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

FQP7N80C Descrição geral

Fairchild Semiconductor introduces the FQP7N80C N-Channel enhancement mode power MOSFET, designed with cutting-edge technology to deliver top-notch performance. This MOSFET is constructed using Fairchild Semiconductor’s innovative planar stripe and DMOS technology, ensuring superior efficiency and reliability in various applications

FQP7N80C

Características

  • 6.6A, 800V, RDS(on) = 1.9Ω(Max.) @VGS = 10 V, ID = 3.3A
  • Low gate charge ( Typ. 27nC)
  • Low Crss ( Typ. 10pF)
  • 100% avalanche tested

Aplicativo

  • Durable desktop
  • Energy-efficient printer
  • Advanced scanner

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-220-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 800 V Id - Continuous Drain Current 6.6 A
Rds On - Drain-Source Resistance 1.9 Ohms Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V Qg - Gate Charge 35 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 167 W Channel Mode Enhancement
Tradename QFET Series FQP7N80C
Brand onsemi / Fairchild Configuration Single
Fall Time 60 ns Forward Transconductance - Min 5.5 S
Height 16.3 mm Length 10.67 mm
Product Type MOSFET Rise Time 100 ns
Factory Pack Quantity 1000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 50 ns Typical Turn-On Delay Time 35 ns
Width 4.7 mm Part # Aliases FQP7N80C_NL
Unit Weight 0.068784 oz

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The FQP7N80C is a power MOSFET chip commonly used in electronic circuits. It is designed for high power applications, offering low on-resistance and high switching speed. The chip can handle a maximum drain current of 7A and has a voltage rating of 800V. Its compact design and efficient performance make it suitable for various power conversion and control applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of the FQP7N80C chip would include other power MOSFETs with similar specifications and features from various manufacturers such as IRF, Infineon, or STMicroelectronics. Some potential alternatives could be IRFP260N, IPW65R045C7, or STP9NK90Z.
  • Features

    The FQP7N80C is a power MOSFET transistor with a maximum drain current of 7A, a maximum voltage of 800V, and a low on-resistance. It features a fast switching speed, high reliability, and is ideal for use in high power applications such as switching regulators and high-voltage motor drives.
  • Pinout

    The FQP7N80C is a power MOSFET transistor with a pin count of three. Its pinout includes a gate pin (G), a drain pin (D), and a source pin (S). The function of this transistor is to control and amplify electrical signals in power applications like switching devices and motor control circuits.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the FQP7N80C is Fairchild Semiconductor. It is a multinational company that specializes in the design, manufacture, and distribution of electronic components used in a wide range of applications including power and signal management, energy-efficient solutions, and mobile devices.
  • Application Field

    The FQP7N80C is a power MOSFET transistor that can be used in various applications such as power supplies, motor control, lighting systems, and electronic switches. It is designed to handle high voltage and current, making it suitable for applications that require efficient power management and control.
  • Package

    The FQP7N80C chip is a MOSFET transistor with a TO-220 package type. It has a form factor of single-ended and a size of approximately 10.2mm x 5.3mm x 4.6mm.

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

Avaliações e comentários

Avaliações
Por favor, avalie o produto!
Por favor insira um comentário

Envie comentários após fazer login em sua conta.

Enviar

Recomendar

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...