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Pedidos acima de
$5000FQD8P10TM
MOSFET 100V P-Channel QFET
Marcas: onsemi
Parte do fabricante #: FQD8P10TM
Ficha de dados: FQD8P10TM Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-252-3,DPAK(2Leads+Tab),SC-63
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 5.692 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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FQD8P10TM Descrição geral
Featuring a cutting-edge design, the FQD8P10TM P-Channel enhancement mode power MOSFET is the perfect choice for engineers and designers in need of a high-performance semiconductor solution. Its unique combination of advanced MOSFET technology and superior construction makes it a versatile and reliable option for a wide range of power management and control applications. Whether it's for audio amplifiers, motor control, or switched mode power supplies, this MOSFET delivers exceptional performance and efficiency
Características
- High-speed switching
- Fast recovery time
- Low leakage current
- High surge capability
- Excellent reliability
- Compact package design
Aplicativo
- Blu-ray Player
- Projector
- VR Headset
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Series | QFET® | Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 3.3A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TO-252AA |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The FQD8P10TM is a power MOSFET chip designed for high efficiency in switch mode power supplies and power management applications. It features a low on-state resistance and high current capabilities, making it suitable for use in various electronic devices such as consumer electronics, telecommunications, and industrial equipment. The chip is designed to provide reliable and efficient power management solutions for a range of applications.
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Equivalent
Some equivalent products of the FQD8P10TM chip include the NXP Semiconductors PDT8P10P, Infineon Technologies IPP018N10N5, and ON Semiconductor NTP8P06LG. These chips are all power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics. -
Features
1. High power handling capability 2. Compact design 3. Low thermal resistance 4. High frequency operation 5. Low output capacitance 6. High speed switching capabilities 7. RoHS compliant 8. Low gate charge 9. Enhanced switching performance 10. Improved ruggedness and reliability -
Pinout
The FQD8P10TM has a pin count of 8 pins and is a P-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It is commonly used in power management circuits, battery charging systems, and motor drives. The device can handle a maximum drain current of 8A. -
Manufacturer
The manufacturer of the FQD8P10TM is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a semiconductor manufacturing company that designs and produces a wide range of integrated circuits for various applications including power management, automotive, industrial, and consumer electronics. They are known for their high-quality components and innovative technologies in the semiconductor industry. -
Application Field
The FQD8P10TM is commonly used in applications such as motor control, power supplies, and automotive systems. It is designed for use in high current, high voltage, and high-speed switching applications where low conduction and switching losses are critical. It is also commonly employed in electronic devices and appliances. -
Package
The FQD8P10TM chip comes in a TO-252 package type, with a surface mount form, and measures approximately 6.6mm x 6.2mm x 2.1mm in size.
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