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FQD1N60CTM 48HRS

600V-rated N-MOSFET transistor operating in unipolar mode, capable of conducting currents up to 0

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Onsemi

Parte do fabricante #: FQD1N60CTM

Ficha de dados: FQD1N60CTM Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: DPAK-3

Status RoHS:

Condição de estoque: 9.458 peças, novo original

Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade Preço unitário Preço Externo
1 $0,494 $0,494
10 $0,441 $4,410
30 $0,416 $12,480
100 $0,390 $39,000
500 $0,374 $187,000
1000 $0,366 $366,000

Em estoque: 9.458 PCS

- +

Rápida citação

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FQD1N60CTM Descrição geral

The FQD1N60CTM stands out in the world of power MOSFETs for its innovative design and optimized performance. With a focus on enhancing efficiency and reducing power loss, this N-Channel MOSFET is ideal for a wide range of applications including switched mode power supplies, active power factor correction, and electronic lamp ballasts. Thanks to its unique planar stripe and DMOS technology, this device offers superior on-state resistance and exceptional switching capabilities, making it a top choice for engineers and manufacturers alike

Características

  • Long lifespan guaranteed
  • Wide operating range
  • Low electromagnetic interference
  • Suitable for high-vibration applications
  • Fully compliant with safety regulations

Aplicativo

  • Long-lasting
  • Weatherproof
  • Budget-friendly

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Status Last Shipments Compliance PbAHP
Package Type DPAK-3 / TO-252-3 Case Outline 369AS
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 260
Container Type REEL Container Qty. 2500
ON Target N Channel Polarity N-Channel
Configuration Single V(BR)DSS Min (V) 600
VGS Max (V) ±30 VGS(th) Max (V) 4
ID Max (A) 1 PD Max (W) 28
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) 11500 Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) 4.8
Ciss Typ (pF) 130

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • FQD1N60CTM is a power MOSFET chip designed for use in electronic circuits. It can handle high currents and voltages and is commonly used in applications like power supplies and motor control. The chip offers low conduction and switching losses, making it efficient and reliable.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the FQD1N60CTM chip include the IRF840TM, IRF740TM, and IRF840. These are all power MOSFETs with similar characteristics and electrical specifications.
  • Features

    The main features of FQD1N60CTM are: a maximum drain current of 1.3A, a breakdown voltage of 600V, low on-resistance of 3.6Ω, a gate charge of 10nC, a low capacitance of 285pF, and an integrated zener diode for ESD protection.
  • Pinout

    The FQD1N60CTM is a power MOSFET with a TO-252 (DPAK) package. The pin count is 3, with the following functions: pin 1 is the gate, pin 2 is the source, and pin 3 is the drain.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG is the manufacturer of the FQD1N60CTM. It is a German semiconductor manufacturer and one of the leading companies in the field of power semiconductors.
  • Application Field

    The FQD1N60CTM can be used in various applications including switch mode power supplies, motor control, lighting control, and high-frequency inverters.
  • Package

    The FQD1N60CTM chip has a TO-252 (DPAK) package type, a transistor form, and its size is 6.6mm x 6.2mm x 2.3mm.

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

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