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FDV305N
This 20V N-Channel MOSFET uses a high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications.
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
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Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: FDV305N
Ficha de dados: FDV305N Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-23-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
---|---|---|
5 | $0,165 | $0,825 |
50 | $0,118 | $5,900 |
150 | $0,097 | $14,550 |
500 | $0,072 | $36,000 |
3000 | $0,061 | $183,000 |
6000 | $0,054 | $324,000 |
Em estoque: 9.458 PCS
FDV305N Descrição geral
This 20V N-Channel MOSFET uses a high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications.
![](/files/uploads/product/b/3b611021-fbf7-4054-a511-417560088d6f.webp)
Características
- 1.5 A, 40 V
- RDS(ON) = 150 mΩ @ VGS = 3.2 V
- High-side driver
- Fast rise and fall times
- Low power consumption
- Compliant with ISO 26262 standards
Aplicativo
- Reliable performance
- Advanced features
- Smart technology
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Id - Continuous Drain Current | 900 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 164 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 600 mV |
Qg - Gate Charge | 1.5 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 350 mW |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
Series | FDV305N | Brand | onsemi / Fairchild |
Configuration | Single | Fall Time | 7 ns |
Forward Transconductance - Min | 3 S | Height | 1.2 mm |
Length | 2.9 mm | Product | MOSFET Small Signals |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 7 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 8 ns | Typical Turn-On Delay Time | 4.5 ns |
Width | 1.3 mm | Part # Aliases | FDV305N_NL |
Unit Weight | 0.000282 oz |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The FDV305N is a high-speed N-channel MOSFET transistor designed for use in switching applications in power management circuits. It has a low threshold voltage and high speed switching capabilities, making it ideal for use in various power electronic applications.
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Equivalent
The equivalent products of FDV305N chip are FDP025N06B, STP55NE06, IPD50N06S4-08, and IRF540NSTRLPBF. -
Features
1. N-channel MOSFET with low on-resistance 2. High current handling capability of 75A 3. Low gate charge for efficient switching 4. Wide voltage range: 30V 5. Suitable for a variety of applications including power management and motor control -
Pinout
FDV305N is a N-channel MOSFET with a pin count of 3. Pin 1 is the Gate, Pin 2 is the Drain, and Pin 3 is the Source. Its main function is to control the flow of current between the Drain and Source pins by applying a voltage to the Gate pin. -
Manufacturer
FDV305N is manufactured by Toshiba Semiconductor. Toshiba Semiconductor is a Japanese multinational semiconductor and electronics company. They specialize in the development and manufacturing of a wide range of electronic components, including integrated circuits, memory devices, and power transistors. Toshiba Semiconductor is known for its high-quality and innovative products in the electronics industry. -
Application Field
Some application areas of FDV305N include industrial process control, medical equipment, automotive systems, renewable energy systems, and consumer electronics. The high efficiency and fast switching characteristics of FDV305N make it suitable for various power management applications requiring low power dissipation and compact design. -
Package
The FDV305N chip comes in an SOT-23 package, with a surface mount form. The size of the chip is 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm, making it compact and suitable for use in various electronic devices.
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