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Pedidos acima de
$5000FDP090N10
N-channel MOSFET transistor with a voltage rating of 100V and a current rating of 75A in a TO-220AB package on a rail mounting system
Marcas: onsemi
Parte do fabricante #: FDP090N10
Ficha de dados: FDP090N10 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-220-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.661 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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FDP090N10 Descrição geral
Elevate your circuit design with the FDP090N10 N-Channel MOSFET, a cutting-edge electronic component that combines advanced technology with superior engineering. The PowerTrench® process utilized in its manufacturing guarantees minimized on-state resistance and optimal switching performance, setting the FDP090N10 apart as a top choice for professionals and hobbyists alike. When precision and efficiency are non-negotiable, trust in the power of the FDP090N10 to deliver exceptional results in any application
Características
- Advanced trench technology
- Fast switching speed and low power loss
- Robust and reliable design for high current handling
- High performance and energy efficiency guaranteed
- Silicon-based with advanced process control
- High-quality material selection for long lifespan
Aplicativo
- Networking Devices
- Input & Output Products
- PC Power Supplies
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Series | PowerTrench® | Package | Tube |
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 75A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 116 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8225 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220-3 | Package / Case | TO-220-3 |
| Base Product Number | FDP090 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The FDP090N10 is a power MOSFET chip designed for high voltage and current applications. It has a maximum drain-source voltage of 100V and a continuous drain current of 90A. It is commonly used in switching power supplies, motor control, and other high-power electronic circuits.
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Equivalent
The equivalent products of FDP090N10 chip are FDP090N10B, FDT100N10E, IRFP260NPBF, and 2SK2837. These chips have similar specifications and performance characteristics, making them suitable replacements for the FDP090N10 chip in various applications. -
Features
FDP090N10 is a power MOSFET with a drain current of 90A, low on-resistance of 0.01 ohms, and a maximum voltage of 100V. It is suitable for high-current applications, such as motor driving and power management systems, due to its high power handling capability. -
Pinout
The FDP090N10 is a Power MOSFET transistor with a pin count of 3 (Gate, Drain, Source). Its function is to control the flow of electrical current in power circuits, converting electrical signals into power output for various applications such as motor control and power supplies. -
Manufacturer
FDP090N10 is manufactured by Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is an American company that specializes in designing, manufacturing, and selling power management and semiconductor products. They primarily focus on providing technology solutions for various industries such as automotive, consumer electronics, industrial, and communications. -
Application Field
FDP090N10 is a power MOSFET transistor commonly used in applications such as power supplies, motor control, and lighting. It is suitable for high power and high voltage applications due to its low on-state resistance and high current handling capability. -
Package
The FDP090N10 chip comes in a TO-220 package. It has a through-hole form factor and measures 10.4mm x 4.8mm x 9.3mm in size.
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