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$5000
FDG6301N-F085
Mosfet Array 25V 220mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Marcas: onsemi
Parte do fabricante #: FDG6301N-F085
Ficha de dados: FDG6301N-F085 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SC-70-6
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Tipo de Produto: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $5,247 | $5,247 |
| 200 | $2,031 | $406,200 |
| 500 | $1,960 | $980,000 |
| 1000 | $1,925 | $1925,000 |
Em estoque: 9.458 PCS
FDG6301N-F085 Descrição geral
These dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using a proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs.
Características
- 25 V, 0.22 A continuous, 0.65 A peak.
- RDS(ON) = 4 Ω VGS= 4.5 V,
- RDS(ON) = 5 ΩVGS= 2.7 V.
- Very low level gate drive requirements allowing directoperation in 3 V circuits (VGS(th) < 1.5 V).
- Gate-Source Zener for ESD ruggedness(>6kV Human Body Model).
- Compact industry standard SC70-6 surface mountpackage.
- Qualified to AEC Q101
- RoHS Compliant
Aplicativo
- Infotainment
- Portable Navigation
- Infotainment
- Other
- Power Train
- Safety and Control
- Comfort and Convenience
- Body Electronics
- Vehicle Security Systems
- Other Automotive
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SC-70-6 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 2 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V | Id - Continuous Drain Current: | 220 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 650 mV | Qg - Gate Charge: | 400 pC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW | Channel Mode: | Enhancement |
| Qualification: | AEC-Q101 | Series: | FDG6301N_F085 |
| Packaging: | Cut Tape | Brand: | onsemi / Fairchild |
| Configuration: | Dual | Height: | 1.1 mm |
| Length: | 2 mm | Product Type: | MOSFET |
| Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 2 N-Channel | Width: | 1.25 mm |
| Part # Aliases: | FDG6301N_F085 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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