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Pedidos acima de
$5000FDB14N30TM
MOSFET 300V N-Ch MOSFET
Marcas: onsemi
Parte do fabricante #: FDB14N30TM
Ficha de dados: FDB14N30TM Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SC-70-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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FDB14N30TM Descrição geral
When it comes to high voltage MOSFETs, the UniFETTM series stands out as a reliable and efficient choice. With its focus on delivering superior performance and energy strength, it is a go-to option for professionals in the field. Whether you're working on power converter applications or electronic lamp ballasts, the UniFETTM MOSFET is a dependable solution for your needs
Características
- RDS(on) = 120mΩ (Max.)@ VGS = 10V, ID = 2A
- Fast switching speed (Typ. 100ns)
- High current handling capability
- RoHS compliant and Halogen-free
Aplicativo
- Great for multiple tasks
- Flexible and adaptable
- Works well in any situation
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SC-70-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 300 V | Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 290 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | Qg - Gate Charge: | 25 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 140 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Series: | FDB14N30 | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | onsemi / Fairchild | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 75 ns | Forward Transconductance - Min: | 10.5 S |
| Height: | 4.83 mm | Length: | 10.67 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 105 ns |
| Factory Pack Quantity: | 800 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns | Width: | 9.65 mm |
| Unit Weight: | 0.139332 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The FDB14N30TM is a high-performance N-channel MOSFET chip designed for various power applications. It offers low on-resistance, high current capability, and efficient switching characteristics. This chip is suitable for use in power supplies, motor control, and other high-power electronic devices.
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Equivalent
The equivalents of FDB14N30TM chip are Infineon IPP14N03LA, Fairchild FDP14N30, and Vishay SIHF14N30G. These chips are similar in specifications and are compatible as replacements. -
Features
The FDB14N30TM is a 300V, 14A N-channel MOSFET with low on-resistance and high current capability suitable for power management applications. It features a TO-263-2 package with a low thermal resistance, enabling efficient heat dissipation. Its high drain-source voltage and rugged design make it ideal for industrial and automotive applications. -
Pinout
The pin count of FDB14N30TM is 3 pins and it is a N-channel MOSFET transistor. Its function is to switch and amplify electronic signals in electronic circuits, especially in power management applications. -
Manufacturer
FDB14N30TM is manufactured by Fairchild Semiconductor, a leading company in the design and production of power management semiconductors. Fairchild Semiconductor develops and manufactures a wide range of products for various industries, including automotive, consumer electronics, and industrial applications. Their products are known for their high quality, reliability, and efficiency. -
Application Field
The FDB14N30TM is commonly used in high efficiency lighting applications, power supplies, low voltage motor control, and automotive systems. Its high current rating, low on-resistance, and fast switching speed make it ideal for these applications where efficient power management is crucial. -
Package
The FDB14N30TM chip is a Power MOSFET transistor packaged in TO-263 form with a size of 10.4mm x 24.4mm and a thickness of 4.6mm.
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