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$5000
DMG1012TQ-7
Mosfet BVDSS: 8v ~ 24V SOT523 T&R 3k
Marcas: DIODES INC
Parte do fabricante #: DMG1012TQ-7
Ficha de dados: DMG1012TQ-7 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-523-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 5.398 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 5 | $0,071 | $0,355 |
| 50 | $0,057 | $2,850 |
| 150 | $0,050 | $7,500 |
| 500 | $0,044 | $22,000 |
| 3000 | $0,040 | $120,000 |
| 6000 | $0,038 | $228,000 |
Em estoque: 5.398 PCS
DMG1012TQ-7 Descrição geral
Suitable for a wide range of automotive electronic systems, the DMG1012TQ-7 MOSFET transistor is designed to meet the stringent AEC-Q101 qualification standard. Its N-Channel configuration allows for a continuous drain current of 630mA and a drain source voltage of 20V, ensuring reliable performance in demanding applications. With an on resistance of 0.3ohm and a test voltage of 4.5V, this transistor offers efficient power management and control. The threshold voltage of 1V further enhances its suitability for automotive systems. With a power dissipation rating of 280mW and a SOT-523 case style featuring 3 pins, the DMG1012TQ-7 provides a robust and compact solution for automotive electronics, capable of operating at temperatures up to 150°C and complying with MSL 1 - Unlimited and no SVHC (15-Jan-2019) regulations
Características
HIGH RELIABILITYAplicativo
SWITCHINGEspecificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Not Recommended | Ihs Manufacturer | DIODES INC |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 56 Weeks | Samacsys Manufacturer | Diodes Inc. |
| Additional Feature | HIGH RELIABILITY | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 20 V | Drain Current-Max (ID) | 0.63 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.4 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G3 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 0.28 W | Reference Standard | AEC-Q101 |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | MATTE TIN |
| Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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