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$5000CSD75208W1015
Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-Pin DSBGA T/R
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
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Marcas: TEXAS INSTRUMENTS INC
Parte do fabricante #: CSD75208W1015
Ficha de dados: CSD75208W1015 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: DSBGA-6
Tipo de Produto: FET, MOSFET Arrays
Status RoHS:
Condição de estoque: 6.554 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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CSD75208W1015 Descrição geral
The CSD75208W1015 power MOSFET by Vishay Siliconix is a powerhouse when it comes to power management applications. Sporting an impressive drain-source voltage rating of 150V and a continuous drain current of 120A, this MOSFET is designed to handle high-power tasks with ease. Its low on-resistance feature is a game-changer, as it reduces power dissipation and improves overall efficiency in power circuits. Housed in a convenient PowerPAK SO-8 package, the CSD75208W1015 offers not only easy installation but also exceptional thermal performance, thanks to the inclusion of a copper clip for superior heat dissipation. Moreover, this MOSFET is RoHS compliant, signaling its commitment to environmental sustainability by being free from harmful substances like lead and mercury. In a world where technological innovation meets eco-conscious design, the CSD75208W1015 stands out as a reliable, efficient, and responsible choice for power management solutions
Características
Features for the CSD75208W1015
- Dual P-Channel MOSFETs
- Common Source Configuration
- Small Footprint 1 mm × 1.5 mm
- Gate-Source Voltage Clamp
- Gate ESD Protection –3 kV
- Pb Free
- RoHS Compliant
- Halogen Free
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Source Content uid | CSD75208W1015 | Pbfree Code | Yes |
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | TEXAS INSTRUMENTS INC | Package Description | GRID ARRAY, R-PBGA-B6 |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.21.00.40 | Samacsys Manufacturer | Texas Instruments |
Configuration | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | DS Breakdown Voltage-Min | 20 V |
Drain Current-Max (ID) | 1.6 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.15 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 10 pF |
JESD-30 Code | R-PBGA-B6 | JESD-609 Code | e1 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 2 |
Number of Terminals | 6 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | GRID ARRAY | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | P-CHANNEL | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | TIN SILVER COPPER | Terminal Form | BALL |
Terminal Position | BOTTOM | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Application | SWITCHING |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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