Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

Pedidos acima de

$5000
ganham $50 um desconto !

CM800E2C-66H

Insulated Gate Bipolar Transistor

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Mitsubishi Electric

Parte do fabricante #: CM800E2C-66H

Ficha de dados: CM800E2C-66H Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: Module

Tipo de Produto: IGBT Modules

Status RoHS:

Condição de estoque: 5.615 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para CM800E2C-66H ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

CM800E2C-66H Descrição geral

With a maximum operating temperature of 150 degrees Celsius, the CM800E2C-66H power module can withstand high thermal stress and maintain reliable operation even in the most demanding environments. Its rugged design ensures it can operate efficiently and effectively in a wide range of temperatures and conditions

Características

  • Real-time monitoring and alarm notification
  • Scheduled maintenance reminders for proactive support
  • Automatic fault reset for minimized downtime

Aplicativo

  • Control systems
  • Robotic arms
  • Servo motors
  • Power grids
  • Measurement tools
  • Energy sources

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Product Category IGBT Modules RoHS N
Product IGBT Silicon Modules Configuration Triple
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 3.3 kV Collector-Emitter Saturation Voltage 3.8 V
Continuous Collector Current at 25 C 800 A Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Pd - Power Dissipation 9.6 kW Package / Case Module
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Brand Mitsubishi Electric Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style SMD/SMT Product Type IGBT Modules
Series CM800 Factory Pack Quantity 2
Subcategory IGBTs

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The CM800E2C-66H chip is a high-performance field programmable gate array (FPGA) designed for use in a variety of applications. It features 800,000 system gates and 66 configurable I/O pins, making it ideal for complex digital designs. The chip also offers advanced features such as embedded RAM and DSP blocks for optimized processing capabilities.
  • Equivalent

    The equivalent products of CM800E2C-66H chip are CM800E2CU-66H and CM800E2.
  • Features

    1. 1200V, 800A dual silicon carbide (SiC) power module 2. High power density and efficiency 3. Compact and lightweight design 4. Low switching losses 5. Low electromagnetic interference (EMI) 6. Integrated temperature sensor 7. Suitable for high power applications such as electric vehicles and renewable energy systems.
  • Pinout

    The CM800E2C-66H is a 66-pin power module suitable for high-frequency switching applications, featuring high thermal conductivity and low thermal resistance for efficient heat dissipation. It includes function pins for gate, collector emitter, and auxiliary emitter connections, providing 800 Amps of power handling capabilities.
  • Manufacturer

    The CM800E2C-66H is manufactured by Mitsubishi Electric Corporation. Mitsubishi Electric Corporation is a Japanese multinational electronics and electrical equipment manufacturing company. They produce a wide range of products including air conditioners, elevators, and power systems. Mitsubishi Electric is known for its innovation and high-quality products in the electronics industry.
  • Application Field

    - Industrial automation: The CM800E2C-66H can be used in various industrial automation applications such as robotics, motion control, and machine vision systems. - Power electronics: It can be utilized in power supplies, inverters, and motor drives for efficient energy conversion. - Renewable energy: The module is suitable for solar inverters, wind turbines, and other renewable energy systems.
  • Package

    The CM800E2C-66H chip is available in a module package type with a form factor of BGA (Ball Grid Array) and a size of 29mm x 29mm.

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

Avaliações e comentários

Avaliações
Por favor, avalie o produto!
Por favor insira um comentário

Envie comentários após fazer login em sua conta.

Enviar

Recomendar

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...