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Pedidos acima de
$5000C2M0160120D
High-voltage MOSFET with low ON-state resistance of 160 milliohm
Marcas: Wolfspeed
Parte do fabricante #: C2M0160120D
Ficha de dados: C2M0160120D Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 6.302 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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A Ovaga possui um grande estoque de C2M0160120D Single FETs, MOSFETs de Wolfspeed e garantimos que são peças originais e novas, provenientes diretamente de Wolfspeed Podemos fornecer relatórios de testes de qualidade para C2M0160120D a seu pedido. Para obter um orçamento, basta preencher a quantidade necessária, nome de contato e endereço de e-mail no formulário de orçamento rápido à direita. Nosso representante de vendas entrará em contato com você dentro de 12 horas.
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | SiC |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1.2 kV | Id - Continuous Drain Current | 17.7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 196 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 5 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V | Qg - Gate Charge | 32.6 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 125 W | Channel Mode | Enhancement |
| Brand | Wolfspeed | Configuration | Single |
| Fall Time | 7 ns | Forward Transconductance - Min | 4.1 S |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 12 ns |
| Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 13 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 7 ns |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
Garantias
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The C2M0160120D chip is a high-performance power module designed for electric vehicle charging, photovoltaic inverters, and other high voltage applications. It features low on-resistance and high switching frequency, making it ideal for efficient power conversion. The chip's compact design and superior thermal performance make it a reliable choice for demanding applications.
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Equivalent
The equivalent products of C2M0160120D chip are C2M0080120D and C2M0040120D. These are all silicon carbide power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics, suitable for high-power and high-frequency applications. -
Features
1. 120A continuous current rating 2. Low voltage drop 3. Fast switching speed 4. Reverse polarity protection 5. Overcurrent protection 6. High efficiency 7. Compact size 8. Designed for automotive applications -
Pinout
The C2M0160120D is a 4-pin SiC power MOSFET used for power conversion applications. Pin 1 is the gate, pin 2 is the source, pin 3 is the drain, and pin 4 is the source. It has a voltage rating of 1200V and a current rating of 24A. -
Manufacturer
The manufacturer of the C2M0160120D is Cree, Inc. Cree is an American manufacturer of semiconductor materials and devices primarily used in power and radio-frequency applications. They are known for their wide range of high-quality LED lighting products and semiconductor solutions for industrial, commercial, and consumer markets. -
Application Field
The C2M0160120D is commonly used in applications such as motor drives, solar inverters, UPS systems, and welding equipment that require high power density, high efficiency, and high switching frequencies. It is suitable for a wide range of power electronics applications that demand high performance and reliability. -
Package
The C2M0160120D chip is a silicon carbide power MOSFET that comes in a TO-247 package with a size of 11.6mm x 15.2mm.
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