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Pedidos acima de
$5000BUZ111S
N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Marcas: Infineon Technologies Ag
Parte do fabricante #: BUZ111S
Ficha de dados: BUZ111S Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-220
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 2.910 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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A Ovaga possui um grande estoque de BUZ111S Single FETs, MOSFETs de Infineon Technologies Ag e garantimos que são peças originais e novas, provenientes diretamente de Infineon Technologies Ag Podemos fornecer relatórios de testes de qualidade para BUZ111S a seu pedido. Para obter um orçamento, basta preencher a quantidade necessária, nome de contato e endereço de e-mail no formulário de orçamento rápido à direita. Nosso representante de vendas entrará em contato com você dentro de 12 horas.
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| ECCN (US) | EAR99 | Part Status | Obsolete |
| HTS | 8541.29.00.95 | Automotive | No |
| PPAP | No | Category | Power MOSFET |
| Process Technology | SIPMOS | Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement | Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 | Maximum Drain Source Voltage (V) | 55 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 | Maximum Continuous Drain Current (A) | 80 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 8@10V | Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 125@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 125 | Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3600@25V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300000 | Typical Fall Time (ns) | 40 |
| Typical Rise Time (ns) | 30 | Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 65 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 25 | Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 | Packaging | Tube |
| Mounting | Through Hole | Package Height | 9.25 |
| Package Width | 4.4 | Package Length | 10 |
| PCB changed | 3 | Tab | Tab |
| Standard Package Name | TO-220 | Supplier Package | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
Garantias
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2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The BUZ111S is a power MOSFET chip designed for use in high voltage applications. It is commonly used in switch mode power supplies, motor control, and general purpose inverters. This chip offers low on-resistance and high-speed switching capabilities, making it a popular choice for a wide range of electronic devices and applications.
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Equivalent
The equivalent products of BUZ111S chip are IRF7466, IRF7468, IRF7469, and IRF7465. These chips have similar specifications and can be used as alternatives to the BUZ111S for various electronic applications. -
Features
The BUZ111S is a N-channel power MOSFET designed for use in high-speed switching applications. It features low on-resistance, high voltage capability, and high speed switching. It is suitable for use in a wide range of power management and control applications, including motor control, power supplies, and industrial lighting. -
Pinout
The BUZ111S is a power MOSFET with a TO-220AB package. It has 3 pins: gate, drain, and source. The function of the BUZ111S is to provide a high-speed switching capability for power supply and motor control applications. -
Manufacturer
The BUZ111S is manufactured by Infineon Technologies AG, which is a German semiconductor manufacturing company. They specialize in producing power semiconductors, microcontrollers, and sensors for a wide range of applications including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The BUZ111S is a power MOSFET transistor that can be used in various applications such as high-frequency DC-DC converters, motor control, power supplies, and battery management systems. Its low on-resistance and fast switching capabilities make it suitable for high power applications and efficient energy conversion. -
Package
The BUZ111S chip is a TO220AB package type, available in a through-hole form, and has a size of 10.67mm x 4.83mm.
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A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
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