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$5000
BSS84W-7-F
Package type: SOT-323
Marcas: Diodes Incorporated
Parte do fabricante #: BSS84W-7-F
Ficha de dados: BSS84W-7-F Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-323-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 10 | $0,038 | $0,380 |
| 100 | $0,033 | $3,300 |
| 300 | $0,031 | $9,300 |
| 3000 | $0,029 | $87,000 |
| 6000 | $0,027 | $162,000 |
| 9000 | $0,027 | $243,000 |
Em estoque: 9.458 PCS
BSS84W-7-F Descrição geral
The BSS84W-7-F is a N-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) manufactured by ON Semiconductor. It is designed for high-speed switching applications in audio amplifiers, power management circuits, and portable devices. The BSS84W-7-F has a maximum drain-source voltage (VDS) of 50V and a continuous drain current (ID) of 130mA. It features a low on-resistance of 8 ohms and a gate threshold voltage (VGSth) of 1.3V. The FET has a total power dissipation of 250mW and operates within a temperature range of -55°C to 150°C.This transistor is housed in a small SOT-323 surface-mount package, making it suitable for compact circuit designs. Its low threshold voltage and high-speed switching capabilities make it ideal for use in applications requiring efficient power management and voltage regulation.
Características
- Small Signal MOSFET
- Packaging: Surface Mount
- Drain-Source Voltage: 50V
- Continuous Drain Current: 0.13A
- On-State Resistance: 7.5 Ohm
- Power Dissipation: 250mW
- Operating Temperature: -55°C to 150°C
Aplicativo
- Portable electronic devices
- Mobile phones
- Tablets
- Laptops
- LED lighting
- Low voltage applications
- Battery management systems
- Automotive electronics
- Industrial automation
- RF power amplifiers
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-323-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50 V |
| Id - Continuous Drain Current | 130 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 10 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW | Channel Mode | Enhancement |
| Series | BSS84 | Brand | Diodes Incorporated |
| Configuration | Single | Forward Transconductance - Min | 0.05 S |
| Height | 1 mm | Length | 2.2 mm |
| Product | MOSFET Small Signals | Product Type | MOSFET |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 P-Channel | Type | Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Typical Turn-Off Delay Time | 18 ns | Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Width | 1.35 mm |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The BSS84W-7-F is a P-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) in a SOT-323 package. It is designed for low power applications and operates in the voltage range of -50V to -8V. This transistor features low on-resistance and high switching speed, making it suitable for power management and load switching in portable electronic devices.
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Equivalent
The equivalent products of BSS84W-7-F chip are BSS84P-7-F, BSS84-7-F, BSS84W-7, and BSS84P-7, which are also N-Channel MOSFETs with similar specifications such as maximum drain-source voltage, maximum continuous drain current, and on-resistance. -
Features
- N-channel enhancement mode field-effect transistor - VGS(th) threshold voltage of 1 to 2 V - Low on-state resistance of 3 ohms - Maximum drain-source voltage of 50 V - Maximum continuous drain current of 170 mA - SOT-363 package for surface mount applications -
Pinout
The BSS84W-7-F is a dual P-channel MOSFET with a pin count of 3. Pin 1 is the gate, Pin 2 is the source, and Pin 3 is the drain. It is designed for switching applications in low power devices and battery-operated equipment. -
Manufacturer
The BSS84W-7-F is manufactured by ON Semiconductor, a leading supplier of semiconductor-based solutions for various markets such as automotive, industrial, and consumer electronics. ON Semiconductor is a global company that designs, manufactures, and markets energy-efficient power management, analog, sensors, logic, timing, connectivity, discrete, and custom devices for customers worldwide. -
Application Field
The BSS84W-7-F is commonly used in applications such as power management, DC-DC converters, load switching, signal switches, and motor control in portable electronics, automotive systems, and industrial equipment. Its low threshold voltage, high switching speed, and low on-resistance make it ideal for efficient power distribution and control. -
Package
The BSS84W-7-F chip is a SOT-323 package type, N-channel MOSFET form, and has a size of 2.8mm x 1.7mm x 1.45mm.
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