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Infineon BSS606N

Ideal for high-frequency and high-power circuit designs

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Infineon

Parte do fabricante #: BSS606N

Ficha de dados: BSS606N Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: SOT-89

Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs

Status RoHS:

Condição de estoque: 3.703 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Rápida citação

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BSS606N Descrição geral

Whether you are working on advanced driver assistance systems (ADAS) or designing cutting-edge LED lighting solutions, the BSS606N is a reliable and efficient choice for your project. With Infineon Technologies' reputation for excellence in the semiconductor industry, you can be confident that these N- and P-Channel MOSFETs will deliver the performance and quality you need to succeed

Características

  • Suitable for switching and amplifying signals.
  • Wide operating voltage range.
  • Low noise and distortion.

Aplicativo

  • Smartphone power management
  • Industrial motor control
  • Efficient battery charging
  • Solar power conversion
  • Eco-friendly LED lighting
  • Advanced automotive tech

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
VDS max 60.0 V IDpuls max 12.8 A
VGS(th) max 2.3 V VGS(th) min 1.3 V
RthJC max 10.0 K/W RthJA max 125.0 K/W
Ptot max 1.0 W Package SOT-89
Polarity N Mounting SMD
Mode Enhancement Special Features Small Power
RDS (on) max 60.0 mΩ ID max 3.2 A
QG max 3.7 nC

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The BSS606N is a N-channel enhancement mode vertical DMOS transistor in a small SOT223 package. It is designed for use in DC-DC converters, motor controls, and high-speed switching applications. This transistor features low on-state resistance and high-speed switching capabilities, making it suitable for various power management and control applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of BSS606N chip are IRLR7843PbF, BSS84, PSMN5R0-30YL and AUIPS6041.
  • Features

    The BSS606N is a N-channel power MOSFET with a maximum drain-source voltage of 60V and maximum continuous drain current of 33A. It features low on-resistance, high transconductance, and fast switching speeds, making it ideal for power management applications in a variety of electronic devices.
  • Pinout

    BSS606N is a N-channel enhancement mode MOSFET with a pin count of 3. The pin functions are as follows: Pin 1 is the gate, Pin 2 is the drain, and Pin 3 is the source. It is commonly used in power management applications.
  • Manufacturer

    The manufacturer of BSS606N is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor company that produces a wide range of products such as power semiconductors, sensors, and microcontrollers for various industries including automotive, industrial, and consumer electronics. Infineon is known for its innovative technology and high-quality products in the semiconductor industry.
  • Application Field

    Application areas of BSS606N include automotive, industrial equipment, consumer electronics, and power management. It can be used in diverse circuits for voltage regulation, battery protection, and motor control applications. Its low RDS(on) and high current capability make it suitable for both high and low power applications.
  • Package

    The BSS606N is a surface mount, N-channel enhancement mode MOSFET transistor. It comes in a SOT-223 package, which has a size of 6.7mm x 3.7mm x 2.5mm.

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

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