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BSS139H6327XTSA1
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Marcas: Infineon Technologies
Parte do fabricante #: BSS139H6327XTSA1
Ficha de dados: BSS139H6327XTSA1 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.085 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 5 | $0,285 | $1,425 |
| 50 | $0,235 | $11,750 |
| 150 | $0,213 | $31,950 |
| 500 | $0,187 | $93,500 |
| 3000 | $0,158 | $474,000 |
| 6000 | $0,151 | $906,000 |
Em estoque: 9.085 PCS
BSS139H6327XTSA1 Descrição geral
Infineon Technologies' BSS139H6327XTSA1 is a top-of-the-line N-channel FET, tailor-made for low voltage, high-speed switching applications. Boasting a maximum drain-source voltage of 250V and a continuous drain current of 220mA, this FET is engineered to deliver optimal performance in demanding electronic systems. Notably, its low threshold voltage of 1.5V and low on-state resistance of 3.5 ohms contribute to reduced power losses and enhanced efficiency. Furthermore, its compact SOT-23 surface-mount package makes it an ideal choice for space-constrained designs, while its RoHS compliance underscores its commitment to environmental responsibility. Versatile and reliable, the BSS139H6327XTSA1 is capable of operating over a wide temperature range, ensuring consistent performance in diverse environments
Características
- Advanced thermal management
- Increase power density
- Improved power conversion efficiency
- Enhanced safety features
Aplicativo
- For mobile use
- Industrial grade
- Compact design
- Multiple functions
- High efficiency
- Reliable performance
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Series | SIPMOS® | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14Ohm @ 100µA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 56µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5 nC @ 5 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 76 pF @ 25 V |
| FET Feature | Depletion Mode | Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 | Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Base Product Number | BSS139 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
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Embalagem
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The BSS139H6327XTSA1 is a N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip that is commonly used in power management and switching applications. It has a maximum voltage rating of 250V and a continuous drain current of 0.21A. The chip is designed for high-speed switching and low power consumption, making it suitable for a wide range of electronic devices and applications.
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Equivalent
The equivalent products of BSS139H6327XTSA1 chip are BSS139H6327E6327, BSS139H6327UMA1, BSS139H6327UMA1XTSA1, BSS139HXUMA1, BSS139HXUMA1XTSA1, BSS139L6327E6327, BSS139L6327UMA1, BSS139L6327UMA1XTSA1, and BSS139L6327XTSA1. -
Features
BSS139H6327XTSA1 is a N-channel enhancement mode MOSFET with a maximum drain-source voltage of 250V, continuous drain current of 420 mA, low threshold voltage, and low on-resistance. It is suitable for use in high-voltage, high-speed switching applications. -
Pinout
The BSS139H6327XTSA1 is a N-channel MOSFET transistor with a pin count of 3. The pins are Gate (G), Drain (D), and Source (S). The function of this transistor is to control the flow of current between the Drain and Source pins through the application of voltage on the Gate pin. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the BSS139H6327XTSA1. It is a multinational company that specializes in semiconductor solutions, providing a wide range of products such as power semiconductors, sensors, and security solutions for various industries including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The BSS139H6327XTSA1 is a small signal N-channel MOSFET transistor commonly used in electronic applications such as switching circuits, voltage converters, power management systems, and amplifiers. Its high-speed switching and low on-resistance make it suitable for a wide range of electronic devices and systems. -
Package
The BSS139H6327XTSA1 chip is a surface mount package with a SOT-23 form. It has a size of 2.9mm x 1.3mm and a height of 1.3mm.
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