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Infineon BSC028N06NSATMA1
State-of-the-art Trans MOSFET for demanding automotive systems requiring low-power loss and high-reliability performance
Marcas: Infineon Technologies Corporation
Parte do fabricante #: BSC028N06NSATMA1
Ficha de dados: BSC028N06NSATMA1 Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: PG-TDSON-8
Status RoHS:
Condição de estoque: 2.201 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $1,390 | $1,390 |
| 10 | $1,157 | $11,570 |
| 30 | $1,030 | $30,900 |
| 100 | $0,886 | $88,600 |
| 500 | $0,821 | $410,500 |
| 1000 | $0,791 | $791,000 |
Em estoque: 2.201 PCS
BSC028N06NSATMA1 Descrição geral
Whether used in automotive power systems, industrial automation equipment, or renewable energy applications, the BSC028N06NSATMA1 MOSFET delivers high power handling capability in a compact and reliable package. Its N-channel design, low on-resistance, and high current rating make it a versatile choice for a wide range of power management tasks. With its automotive qualification and robust construction, this MOSFET is a dependable solution for demanding electrical designs
Características
- New generation of power electronics
- High-reliability and high-efficiency devices
- Advanced semiconductor technology applications
- Rugged and compact design for harsh environments
- Improved thermal management and reduced EMI
- Enhanced power quality and reliability assurance
Aplicativo
- Renewable energy
- Telecom supplies
- Power generators
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| RHoS | yes | PBFree | yes |
| HalogenFree | yes |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The BSC028N06NSATMA1 is a power MOSFET transistor designed for high-current applications. It has a low on-resistance of 2.8mΩ and a maximum operating voltage of 60V, making it ideal for use in power supplies, motor control, and other high-power electronic devices. Its compact size and high efficiency make it a popular choice for demanding applications.
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Equivalent
The equivalent products of BSC028N06NSATMA1 chip are IRF1010EZS, IRFB4103GPBF, IRFP4568PBF, IPP60R190C6, IPW60R041CFD, IPW60R041CFD, and IPW65R700CFD. -
Features
- BSC028N06NSATMA1 is a N-channel power MOSFET - Features low on-resistance of 2.8mΩ - Suitable for high efficiency power management applications - Can handle a continuous drain current of 150A - Operates at a maximum voltage of 60V - RoHS compliant and lead-free package design -
Pinout
BSC028N06NSATMA1 is a 80V N-channel MOSFET with a 15A rating. It has a pin count of 8 and is commonly used for power management applications in automotive and industrial applications. The functions of the pins include gate, source, drain, and other auxiliary functions for enhanced performance and protection. -
Manufacturer
The manufacturer of BSC028N06NSATMA1 is Infineon Technologies AG. It is a semiconductor manufacturing company based in Germany that specializes in producing power semiconductors, microcontrollers, and sensors for automotive, industrial, and home appliances. -
Application Field
BSC028N06NSATMA1 can be used in various applications including power supplies, motor drives, UPS systems, solar inverters, and industrial automation. Its high efficiency, low on-state resistance, and fast switching speed make it ideal for power switching applications that require high performance and reliability. -
Package
The BSC028N06NSATMA1 chip is a Power-SO8 package type, with a form of Surface Mount and a size of 5mm x 6mm x 1mm.
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