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$5000BLF642,112
Meet BLF642,112 - a MOSFET solution delivering 35W power output, packaged in SOT-467C format and meeting ROHS environmental standards
Marcas: Ampleon USA Inc.
Parte do fabricante #: BLF642,112
Ficha de dados: BLF642,112 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-467C
Tipo de Produto: RF FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 8.586 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BLF642,112 Descrição geral
The BLF642 is a high-performance RF Power Field-Effect Transistor designed for use in L Band applications. This N-Channel Silicon FET boasts superior reliability and efficiency, making it ideal for a wide range of wireless communication systems
Características
- CW performance at 1300 MHz, a drain-source voltage VDSof 32 V and a quiescent drain current IDq=0.2A :
- Average output power = 35 W
- Power gain = 19 dB
- Drain efficiency = 63 %
- 2-tone performance at 1300 MHz, a drain-source voltage VDSof 32 V and a quiescent drain current IDq=0.2A :
- Average output power = 17.5 W
- Power gain = 19 dB
- Drain efficiency = 48 %
- Intermodulation distortion = 28 dBc
- Integrated ESD protection
- Excellent ruggedness
- High power gain
- High efficiency
- Excellent reliability
- Easy power control
- Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances(RoHS)
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Package | Tray | Product Status | Active |
| Technology | LDMOS | Frequency | 1.3GHz |
| Gain | 19dB | Voltage - Test | 32 V |
| Current - Test | 200 mA | Power - Output | 35W |
| Voltage - Rated | 65 V | Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SOT-467C | Supplier Device Package | SOT467C |
| Base Product Number | BLF642 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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BLF642,112 is a high-power LDMOS RF transistor chip designed for use in high-frequency amplifiers. It offers excellent linearity, efficiency, and power capabilities, making it ideal for applications such as cellular base stations and broadcast transmitters.
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Equivalent
The equivalent products of BLF642,112 chip are Freescale MRFE6VP61K25H, NXP MRF6VP61K25HR6, and NXP MRF6VP61K25HR5. These are all RF power LDMOS transistors that offer similar performance and specifications to the BLF642,112 chip. -
Features
BLF642,112 is a high power RF transistor for mobile radio applications. It operates at a frequency range of 470-800 MHz with an output power of 44W. This transistor offers high efficiency, compact size, and excellent linearity, making it suitable for various mobile radio applications. -
Pinout
The BLF642,112 is a RF power transistor with a pin count of 2. Pin 1 is the gate/source and Pin 2 is the drain. It is designed for use in high power RF amplifier applications in the UHF frequency range. -
Manufacturer
The BLF642,112 is manufactured by NXP Semiconductors, a global semiconductor manufacturer known for its expertise in designing and producing high-performance integrated circuits used in a wide range of applications. NXP Semiconductors specializes in providing solutions for automotive, industrial, consumer, and communication markets. -
Application Field
The BLF642,112 is commonly used in applications requiring high-power amplification, such as in mobile communication systems, base stations, radar systems, and industrial heating equipment. It is also suitable for use in medical applications, military communication systems, and broadcast stations due to its high efficiency and high-frequency capabilities. -
Package
The BLF642,112 chip is in a SOT539A (SOT669) package. It has a surface mount form and measures 5.9mm x 4.3mm x 1.7mm in size.
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Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
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