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Pedidos acima de
$5000Microchip APT24F50B
N-Channel 500 V 24A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Marcas: Microchip
Parte do fabricante #: APT24F50B
Ficha de dados: APT24F50B Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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APT24F50B Descrição geral
Power MOS 8™ is a family of high speed, high voltage (500-1200 V) N-channelswitch-mode power transistors with lower EMI characteristics and lower costcompared to previous generation devices. These MOSFETs / FREDFETs have beenoptimized for both hard and soft switching in high frequency, high voltageapplications rated above 500 W.
The Power MOS 8™ series is a result of extensive research into quiet switching.Input and reverse transfer capacitance values as well as their ratio were setat specific values to achieve quiet switching with minimal switching loss. ThePower MOS 8™ series of devices are inherently quiet switching, stable whenconnected in parallel, very efficient, and lower cost than previousgenerations.
Power MOS 7® is a family of low loss, high voltage, N-Channel enhancementmode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed withPower MOS 7® by significantly lowering RDS(ON)and Qg. Power MOS 7® combineslower conduction and switching losses along with exceptionally fast switchingspeeds.
Power MOS V® can still provide the best trade-off between performance andcost in some applications. Power MOS V® utilizes a low resistance aluminummetal gate structure. This allows for faster gate signal propagation than ispossible with conventional polysilicon gate structures. The result is extremelylow internal chip equivalent gate resistances (EGR) that are up to an order ofmagnitude lower than competitive devices which enables uniform high speedswitching across the entire chip.
Body Diode Options
MOSFETs and FREDFETs are available in all voltage ratings. A FREDFET is aMOSFET with a faster recovery intrinsic body diode. This results in improvedreliability in ZVS circuits due to shorter minority carrier lifetime andincreased commutation dv/dt ruggedness. If a fast recovery body diode is notneeded, MOSFET versions are available.
Características
- Fast switching with low EMI
- Low trr for high reliability
- Ultra low Crss for improved noise immunity
- Low gate charge
- Avalanche energy rated
- RoHS compliant
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Microchip | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V | Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 240 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V | Qg - Gate Charge: | 90 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 335 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Packaging: | Tube | Brand: | Microchip Technology |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 14 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 17 S | Height: | 21.46 mm |
| Length: | 16.26 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 19 ns | Factory Pack Quantity: | 1 |
| Subcategory: | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time: | 41 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns | Width: | 5.31 mm |
| Unit Weight: | 0.211644 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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