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$5000AFGB40T65SQDN
IGBT 650 V 80 A 238 W Surface Mount D²PAK-3 (TO-263-3)
Marcas: onsemi
Parte do fabricante #: AFGB40T65SQDN
Ficha de dados: AFGB40T65SQDN Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SC-70-3
Tipo de Produto: Single IGBTs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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AFGB40T65SQDN Descrição geral
Leveraging the latest advancements in IGBT technology, the AFGB40T65SQDN sets a new standard for performance and efficiency. Its AEC-Q101 qualification underscores its reliability and suitability for a variety of applications. By minimizing conduction loss and optimizing switching performance, this product offers unparalleled efficiency and operational benefits
Características
- AEC-Q101 qualified
- VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A
- Low VF soft recovery co-packaged diode
Aplicativo
- Automotive On Board Charge
- Automotive DC/DC converter for HEV
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | IGBT Transistors |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Package / Case: | SC-70-3 | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V | Maximum Gate Emitter Voltage: | - 20 V, 20 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A | Pd - Power Dissipation: | 238 W |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Qualification: | AEC-Q101 | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | onsemi | Continuous Collector Current Ic Max: | 40 A |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA | Product Type: | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 800 | Subcategory: | IGBTs |
| Unit Weight: | 0.072909 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The AFGB40T65SQDN chip is a high-power, high-frequency insulated gate bipolar transistor (IGBT) module designed for applications in renewable energy, industrial motor drives, and uninterruptible power supplies. It features low conduction and switching losses, high current capability, and high thermal performance, making it suitable for demanding power electronics applications.
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Equivalent
There are no direct equivalent products of the AFGB40T65SQDN chip. However, similar products from other manufacturers include Infineon's IGBT module FS75R12KT4, Semikron's SKM300GB126D, and Fairchild's FGH40T65UPD. These products have somewhat similar specifications and can be used as substitutes. -
Features
The AFGB40T65SQDN is an insulated gate bipolar transistor (IGBT) module with a current rating of 40A and a voltage rating of 650V. It features a square pinout and a single, compact design for easy installation. It also has a low thermal resistance and high short-circuit capability for reliable performance in a variety of applications. -
Pinout
The AFGB40T65SQDN is a module with a pin count of 28. It is designed for use as a silicon carbide power MOSFET module, offering high power density and low switching losses. Its functions include power conversion, motor drives, and renewable energy applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the AFGB40T65SQDN is Advanced Semiconductor, Inc. It is a company that specializes in the production of semiconductors and electronic components. -
Application Field
The AFGB40T65SQDN is a silicon carbide power module suitable for high power applications such as electric vehicle charging, renewable energy systems, industrial drives, and power supplies. Its high temperature capability and low switching losses make it ideal for advanced power electronics and energy conversion systems. -
Package
The AFGB40T65SQDN is a power module package type with a square form. It has a size of 40mm x 65mm.
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