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Pedidos acima de
$5000ST STF11NM60N
TO-220FP-packaged N-channel MOSFET rated for 600V and 10A current, suitable for various power applications
Marcas: STMicroelectronics, Inc
Parte do fabricante #: STF11NM60N
Ficha de dados: STF11NM60N Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: TO-220FP
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 3.838 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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STF11NM60N Descrição geral
STMicroelectronics introduces the STF11NM60N, a robust N-channel Power MOSFET tailored for high-power switching applications. With a 600V voltage rating and a maximum continuous drain current of 11A, this MOSFET is ideal for use in motor control, lighting, and power supply systems. Its low on-resistance of 0.8Ω minimizes power dissipation and enhances efficiency in high-current scenarios, while the gate threshold voltage of 3V ensures compatibility with standard logic levels. Packaged in a TO-220 housing, the MOSFET facilitates straightforward mounting on a heat sink for superior thermal performance. Furthermore, its integrated source-to-drain diode with fast recovery time provides robust protection against voltage spikes and inductive loads, making it a reliable choice for demanding applications
Características
- It has a drain-source voltage rating of 600V
- It has a maximum continuous drain current of 11A
- It has a low on-resistance of 0.35 ohms
- It has a fast switching speed and low gate charge
- It is designed to operate at high temperatures, making it suitable for use in industrial applications.
Aplicativo
- It can be used in various power electronics applications, including switch-mode power supplies, lighting, motor control, and inverters.
- It is commonly used in power conversion circuits for energy-efficient designs.
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | STMicroelectronics | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V | Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 450 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 25 V, + 25 V |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 25 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Series: | STB11NM60 | Packaging: | Tube |
| Brand: | STMicroelectronics | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 12 ns | Height: | 9.3 mm |
| Length: | 10.4 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 18.5 ns | Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Width: | 4.6 mm |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Peças Equivalentes
Para o STF11NM60N componente, você pode considerar essas peças de reposição e alternativas:
Número da peça
Marcas
Pacote
Descrição
Número da peça : IRF840PBF
Marcas :
Pacote :
Descrição :
Número da peça : IRF7314PBF
Marcas :
Pacote :
Descrição :
Número da peça : IPP60R099CPXKSA1
Marcas :
Pacote : TO-220-3
Descrição : N-Channel MOSFET, 31 A, 650 V CoolMOS CP, 3-Pin TO-220 Infineon
Número da peça : STF13N60M2
Marcas :
Pacote : TO-220F
Descrição : Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Número da peça : FQD11P06TM
Marcas :
Pacote : TO-252
Descrição : 60V P-Channel QFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel,MOSFET TO-252 DPAK P-CH 60V
Número da peça : IRF630NPBF
Marcas :
Pacote : TO-220AB
Descrição : MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.3Ω; ID 9.3A; TO-220AB; PD 82W; VGS +/-20V
Número da peça : IRLZ44NPBF
Marcas :
Pacote : TO-220
Descrição : 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package; A IRLZ44NPBF with Standard Packaging
Número da peça : FQP13N10L
Marcas :
Pacote :
Descrição :
Part points
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The STF11NM60N is a N-channel power MOSFET transistor designed for high-voltage applications with a voltage rating of 600V and a current rating of 11A. It is commonly used in power supply and motor control circuits due to its high efficiency and low on-state resistance.
-
Equivalent
The equivalent products of the STF11NM60N chip are STP11NM60N and STB11NM60N. These chips have similar specifications and can be used as replacements for the STF11NM60N in various electronic circuits and applications. -
Features
1. N-channel power MOSFET 2. 600V breakdown voltage 3. 11A continuous drain current 4. Low gate charge 5. Improved dv/dt ruggedness 6. Low on-resistance 7. Advanced planar technology (Note: This is a general overview of the features of STF11NM60N and may vary depending on the specific datasheet or manufacturer specifications.) -
Pinout
The STF11NM60N is a N-channel Power MOSFET with a TO-220FP package. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). The pinout configuration is: G-pin 1, S-pin 2, D-pin 3. The function of the pins is: G - controls the flow of current, S - connected to the source of the device, and D - connected to the drain of the device. -
Manufacturer
STF11NM60N is manufactured by STMicroelectronics, a French-Italian multinational semiconductor company. STMicroelectronics is a leading supplier of a wide range of products and solutions for various industries, including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. They are known for their advanced technologies in developing semiconductor solutions for smart devices, IoT applications, and power management. -
Application Field
The STF11NM60N is commonly used in applications such as power supplies, motor control, lighting, and automotive systems. Its features including low on-resistance, high switching speed, and high ruggedness make it suitable for a wide range of power management applications. -
Package
The STF11NM60N chip comes in a TO-220 package, with a through-hole mounting type. The size of the chip is 10.4mm x 4.6mm x 9.15mm.
Ficha de dados PDF
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