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Pedidos acima de
$5000ST STD11NM60N
Advanced N-channel power MOSFET offering excellent switching speed and low thermal resistance
Marcas: Stmicroelectronics
Parte do fabricante #: STD11NM60N
Ficha de dados: STD11NM60N Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: TO-252-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 2.170 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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STD11NM60N Descrição geral
What sets the STD11NM60N apart is its exceptional switching performance and low capacitance, resulting in reduced switching losses and improved overall efficiency. Furthermore, it delivers a high level of reliability and robustness, making it an excellent choice for critical applications where dependable operation is a must
Características
- Advanced signal processing capabilities
- Low latency data transmission
- Fast start-up time guaranteed
- Robust against electrical surges
- Precise voltage regulation ensured
Aplicativo
- Switching power supplies
- Motor control
- Lighting applications
- Automotive systems
- Industrial applications
- General purpose inverters
- Converter circuits
- DC-DC converters
- Uninterruptible power supplies
- Electric vehicles
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Id - Continuous Drain Current | 10 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 450 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 25 V, + 25 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 90 W |
| Channel Mode | Enhancement | Series | STB11NM60 |
| Brand | STMicroelectronics | Configuration | Single |
| Fall Time | 12 ns | Height | 2.4 mm |
| Length | 6.6 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 18.5 ns | Factory Pack Quantity | 2500 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 50 ns | Typical Turn-On Delay Time | 22 ns |
| Width | 6.2 mm |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The STD11NM60N is a power MOSFET chip used in electronic devices for high-speed switching applications. It is designed to handle high currents and voltages efficiently, making it ideal for power supplies, motor control, and other industrial applications. This chip offers low on-resistance and high thermal performance, making it a reliable choice for demanding power management tasks.
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Equivalent
Equivalent products to the STD11NM60N chip include STP11NM60N, STE11NM60N, and STH11NM60N. These chips are all from the same STMicroelectronics Power Mosfet family and have similar specifications and features. It is essential to check the datasheets of each chip to ensure compatibility with the specific application. -
Features
1. N-channel power MOSFET for high efficiency 2. Low gate charge for fast switching 3. Low on-resistance for reduced power consumption 4. Avalanche energy rating for robustness 5. High dv/dt capability for reliable operation 6. Suitable for SMPS, motor control, and lighting applications -
Pinout
The STD11NM60N is a Power MOSFET with a pin count of 3 pins. Pin 1 is the gate, pin 2 is the drain, and pin 3 is the source. It is used for switching applications in power supplies, motor control, lighting, and other power management systems. -
Manufacturer
The manufacturer of the STD11NM60N is STMicroelectronics. STMicroelectronics is a multinational semiconductor company that designs, manufactures, and markets a wide range of semiconductor solutions for various applications, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The STD11NM60N is commonly used in switching power supplies, lighting controls, motor control applications, consumer electronics, and automotive systems. It is suitable for high-voltage applications where low on-state resistance and fast switching speeds are required. With its high current carrying capacity and low gate charge, it is ideal for power management purposes in various electronic devices. -
Package
The STD11NM60N chip comes in a TO-252 package, with a TO-251 form, and measures 6.2mm x 6.8mm in size.
Ficha de dados PDF
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