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Pedidos acima de
$5000ST STF11NM60ND
High-power transistor for demanding applications
Marcas: Stmicroelectronics
Parte do fabricante #: STF11NM60ND
Ficha de dados: STF11NM60ND Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: TO-220-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 3.433 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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STF11NM60ND Descrição geral
With an impressive Rds(on) test voltage of 10V, this MOSFET provides reliable and stable performance in a wide range of operating conditions. It is housed in a TO 220FP package, which offers excellent thermal performance and easy mounting on a PCB. This N-channel MOSFET is suitable for use in a variety of applications, including motor control, power supplies, and lighting systems
Características
- Microcontroller-based motor controller
- Solar power inverter technology
- Artificial intelligence processor
Aplicativo
- Power supply switching
- LED driver applications
- Industrial motor control
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
| Id - Continuous Drain Current | 10 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 450 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 25 V, + 25 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Qg - Gate Charge | 30 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 90 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | FDmesh |
| Series | STF11NM60ND | Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single | Fall Time | 9 ns |
| Forward Transconductance - Min | 7.5 S | Height | 9.3 mm |
| Length | 10.4 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 7 ns | Factory Pack Quantity | 1000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 50 ns | Typical Turn-On Delay Time | 16 ns |
| Width | 4.6 mm |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
Garantias
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2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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![produtos]( "produtos")
Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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![Saco antiestático]( "Saco antiestático")
Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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![Caixas de embalagem]( "Caixas de embalagem")
Etapa5 :Caixas de embalagem
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![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Peças Equivalentes
Para o STF11NM60ND componente, você pode considerar essas peças de reposição e alternativas:
Número da peça
Marcas
Pacote
Descrição
Número da peça : IRFP460
Marcas :
Pacote :
Descrição :
Número da peça : FQPF11N60
Marcas :
Pacote :
Descrição :
Número da peça : IRF840
Marcas :
Pacote :
Descrição :
Número da peça : STF10NK60Z
Marcas :
Pacote :
Descrição :
Número da peça : STP11NM60FP
Marcas :
Pacote :
Descrição :
Número da peça : HUF75652G3
Marcas :
Pacote : TO-247
Descrição : 75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET,MOSFET 75a 100VN-Ch MOSFET
Número da peça : STF13NM60N
Marcas :
Pacote : TO-220F
Descrição : MOSFET N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
Número da peça : 2SK3024
Marcas :
Pacote :
Descrição :
Número da peça : BSC047N06NS3G
Marcas :
Pacote :
Descrição :
Part points
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The STF11NM60ND is a power MOSFET designed for high-speed switching applications. It offers a low on-resistance and high breakdown voltage, making it ideal for use in power supplies, motor control, and lighting applications. The chip is compact and efficient, making it a popular choice for a range of electronic devices.
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Equivalent
The equivalent products of STF11NM60ND chip are FDPF11N60NZ, STF13N60MD, and FFPF13N60NT. These are all power MOSFETs with similar specifications and applications, suitable for use in various electronic devices and power systems. -
Features
The STF11NM60ND is a N-channel Power MOSFET featuring low on-state resistance, high switching speed, low gate charge, and high avalanche ruggedness. It is designed for high-performance applications in power supplies, motor control, and lighting. It has a maximum drain-source voltage of 600V and a continuous drain current of 11A. -
Pinout
The STF11NM60ND is a MOSFET transistor with a 3-pin D2PAK package. Pin 1 is the source, Pin 2 is the gate, and Pin 3 is the drain. The function of the MOSFET is to control the flow of current between the source and drain terminals using the voltage applied to the gate terminal. -
Manufacturer
STF11NM60ND is manufactured by STMicroelectronics, a global semiconductor company that designs and produces a wide range of integrated circuits and solutions for various industries including automotive, industrial, communications, and consumer electronics. STMicroelectronics is a leading company in the semiconductor industry, known for its innovative technologies and high-quality products. -
Application Field
The STF11NM60ND is a high-voltage N-channel Power MOSFET commonly used in applications such as switch-mode power supplies, motor control, lighting ballasts, and automotive systems. It is suitable for use in voltage regulation, power distribution, and DC-DC conversion circuits due to its high efficiency, low on-resistance, and high avalanche ruggedness. -
Package
The STF11NM60ND chip comes in a TO-220 package type with a through hole mounting form, and its size is 10.3mm x 4.5mm x 17.0mm.
Ficha de dados PDF
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Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
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A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.
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A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
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