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$5000vishay SQ2361EES-T1-GE3
High-Temperature Automotive P-Channel MOSFET: 60V (D-S)
Marcas: Vishay
Parte do fabricante #: SQ2361EES-T1-GE3
Ficha de dados: SQ2361EES-T1-GE3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-236-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SQ2361EES-T1-GE3 Descrição geral
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S) 175 DEGREE CELSIUS MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
Características
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Qualification | AEC-Q101 |
Tradename | TrenchFET | Series | SQ |
Brand | Vishay / Siliconix | Product Type | MOSFET |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Part # Aliases | SQ2361EES-GE3 |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The SQ2361EES-T1-GE3 is a chip that belongs to the SQ series. It is designed for various applications, including power management and signal conditioning. This chip incorporates advanced technology and features to improve performance and efficiency. With its compact size and low power consumption, it is a versatile and reliable option for electronic devices.
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Features
The SQ2361EES-T1-GE3 is a high-performance power MOSFET. It features a maximum drain-source voltage of 200V, a continuous drain current of 13A, and a low on-resistance of 85mΩ. With its compact package and advanced technology, it provides efficient power management solutions for various applications. -
Pinout
The SQ2361EES-T1-GE3 is a dual n-channel MOSFET power transistor. It has 8 pins and the function of the pins is as follows: 1. Gate 1 2. Source 1 3. Drain 1 4. Source 2 5. Gate 2 6. Drain 2 7. No connection 8. No connection -
Manufacturer
The manufacturer of the SQ2361EES-T1-GE3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a semiconductor company that specializes in the development, manufacturing, and marketing of power, analog, digital, mixed-signal, and optoelectronic semiconductors. -
Application Field
The SQ2361EES-T1-GE3 is a power MOSFET that can be used in various applications such as power management in notebook computers, DC-DC converters, LCD TVs, battery chargers, and other portable electronics devices. -
Package
The SQ2361EES-T1-GE3 chip has a package type of SOT-563, a form of Surface Mount, and a size of 1.6mm x 1mm.
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