Pedidos acima de
$5000vishay SQJ402EP-T1_GE3
Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: Vishay
Parte do fabricante #: SQJ402EP-T1_GE3
Ficha de dados: SQJ402EP-T1_GE3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: PowerPAK-SO-8-4
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SQJ402EP-T1_GE3 Descrição geral
N-Channel 100 V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
![](/files/uploads/product/b/44230a84-0a91-4087-a2a7-c7c6091408d8.webp)
Características
- Ultra Low RDS(on)
- High Efficiency Ratio
- Ruggedized against Noise
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | PowerPAK-SO-8-4 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 32 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 11 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V | Qg - Gate Charge: | 34 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
Pd - Power Dissipation: | 83 W | Channel Mode: | Enhancement |
Qualification: | AEC-Q101 | Tradename: | TrenchFET |
Series: | SQ | Packaging: | MouseReel |
Brand: | Vishay Semiconductors | Configuration: | Single |
Fall Time: | 7 ns | Forward Transconductance - Min: | 54 S |
Height: | 1.04 mm | Length: | 6.15 mm |
Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 10 ns |
Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns | Width: | 5.13 mm |
Unit Weight: | 0.017870 oz |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The SQJ402EP-T1_GE3 chip is an advanced power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is suitable for use in various electronic devices such as smartphones, tablets, and laptops. This chip offers low on-resistance and a small form factor, making it efficient and space-saving. It provides reliable performance for demanding applications, contributing to overall system efficiency and improved power management.
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Features
The features of SQJ402EP-T1_GE3 include an N-channel enhancement mode power MOSFET, low on-resistance, high power density, high speed switching, low gate charge, low reverse recovery time, and small package size. -
Manufacturer
The manufacturer of the SQJ402EP-T1_GE3 is Rohm Semiconductor. It is a Japanese company that specializes in the development and manufacture of electronic components, including semiconductors, integrated circuits, and power devices. -
Application Field
The SQJ402EP-T1_GE3 is a power MOSFET device designed for use in various applications such as power supplies, motor control, lighting, and automotive systems. It can handle high voltage and current levels efficiently, making it suitable for a wide range of electronic equipment and industrial applications. -
Package
The SQJ402EP-T1_GE3 chip is available in a PowerPAK SO-8 package type. Its form factor is Surface Mount. The package dimensions are approximately 5mm x 6mm.
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