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Pedidos acima de
$5000vishay SI4816BDY-T1-GE3
30V N-type MOSFET with a continuous drain current of 5.8A and a pulsed drain current of 8.2A, housed in an 8-pin SOIC package on Tape and Reel (T/R)
Marcas: Vishay
Parte do fabricante #: SI4816BDY-T1-GE3
Ficha de dados: SI4816BDY-T1-GE3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOIC-8
Tipo de Produto: FET, MOSFET Arrays
Status RoHS:
Condição de estoque: 7.286 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI4816BDY-T1-GE3 Descrição geral
Mosfet Array 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SOIC
Características
- Halogen-free
- LITTLE FOOT® Plus power MOSFET
- 100% Rg tested
Aplicativo
- Industrial
- Power Management
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOIC-8 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 2 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | Id - Continuous Drain Current | 6.8 A, 11.4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 11.5 mOhms, 18.5 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V | Qg - Gate Charge | 7.8 nC, 11.6 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 1.4 W, 2.4 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | TrenchFET | Series | SI4 |
| Brand | Vishay Semiconductors | Configuration | Dual |
| Fall Time | 9 ns, 11 ns | Forward Transconductance - Min | 30 S, 31 S |
| Height | 1.75 mm | Length | 4.9 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 9 ns, 9 ns |
| Factory Pack Quantity | 2500 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 2 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 24 ns, 31 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 11 ns, 13 ns | Width | 3.9 mm |
| Part # Aliases | SI4816DY-T1-E3-S |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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![produtos]( "produtos")
Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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SI4816BDY-T1-GE3 is a p-channel enhancement mode power MOSFET chip designed for use in power management and DC-DC converter applications. It features low on-resistance, high efficiency, and reliable performance. The chip is suitable for a wide range of electronic devices requiring power switching and voltage regulation.
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Equivalent
Equivalent products of SI4816BDY-T1-GE3 chip include IRF7468PBF, IRF7468TRPBF, IPB47N10NF3, IPB47N10N3G, IPD47N10S3-2, and IPD47N10S3-2. These are power MOSFETs with similar specifications such as voltage ratings, current ratings, and package type. They can be used as replacements for SI4816BDY-T1-GE3 in various applications. -
Features
SI4816BDY-T1-GE3 is a P-channel MOSFET with a 30V drain-source voltage and 5.9A current rating. It features low on-resistance and a small form factor, making it suitable for power management applications in portable devices. It is RoHS-compliant and can handle high-frequency operation. -
Pinout
The SI4816BDY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 8. Pin functions include gate (G), drain (D), and source (S) for each channel. It is commonly used for power management applications in various electronic devices. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI4816BDY-T1-GE3 is Vishay Intertechnology, Inc. Vishay Intertechnology is a global company specializing in the design, manufacture, and distribution of a wide range of electronic components. They are known for producing high-quality semiconductors, passive components, and sensors for various industries including automotive, telecommunications, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
SI4816BDY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET suitable for use in various applications such as power management, load switching, battery protection, and LED lighting. It is commonly used in consumer electronics, automotive systems, industrial equipment, and power supplies where high efficiency and reliability are required. -
Package
The SI4816BDY-T1-GE3 chip is a PowerPAK SO-8 package with a dual N-channel MOSFET form. The package size is 5mm x 6mm x 1mm.
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