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vishay SISS71DN-T1-GE3

Power P-channel MOSFET with a maximum voltage of 100V and current capability of 23A

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Vishay

Parte do fabricante #: SISS71DN-T1-GE3

Ficha de dados: SISS71DN-T1-GE3 Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: PowerPAK-1212-8

Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs

Status RoHS:

Condição de estoque: 9.458 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Rápida citação

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SISS71DN-T1-GE3 Descrição geral

This MOSFET is designed for use in automotive applications, where reliability and efficiency are paramount. It meets the MSL 1 - Unlimited standard for moisture sensitivity and does not contain any SVHCs, making it environmentally friendly. With an operating temperature range of up to 150°C, the SISS71DN-T1-GE3 MOSFET can withstand harsh automotive environments with ease

Características

  • Low noise and high reliability
  • Wide temperature range application

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Manufacturer: Vishay Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: PowerPAK-1212-8
Transistor Polarity: P-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Id - Continuous Drain Current: 23 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 47 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V Qg - Gate Charge: 30 nC
Minimum Operating Temperature: - 50 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 57 W Channel Mode: Enhancement
Tradename: ThunderFET, PowerPAK Series: SIS
Packaging: MouseReel Brand: Vishay Semiconductors
Configuration: Single Fall Time: 11 ns
Forward Transconductance - Min: 13 S Height: 1.04 mm
Length: 3.3 mm Product Type: MOSFET
Rise Time: 30 ns Factory Pack Quantity: 3000
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 21 ns Typical Turn-On Delay Time: 35 ns
Width: 3.3 mm Unit Weight: 0.032487 oz
Series ThunderFET® Product Status Active
FET Type P-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 57W (Tc) Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8S
Package / Case PowerPAK® 1212-8S

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The SISS71DN-T1-GE3 is a high-speed, low-loss power switch designed for use in electronic devices such as smartphones, tablets, and laptops. It offers efficient power conversion and thermal performance, helping to extend battery life and reduce heat generation in portable devices. This chip is designed to meet the power management needs of modern, energy-efficient electronics.

  • Equivalent

    The equivalent products of SISS71DN-T1-GE3 chip are SI4505DY-T1-E3, IRF7862PBF, and SPD03N60C3.

  • Features

    SISS71DN-T1-GE3 is a power MOSFET with a low on-resistance of 12.9mΩ, designed for high-efficiency power management applications. It features a compact PQFN package, a voltage rating of 40V, and a maximum drain current rating of 71A. It is suitable for use in a wide range of power conversion and motor control applications.

  • Pinout

    SISS71DN-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a DFN4040-8 package. It has a pin count of 8 including 2 source pins, 2 gate pins, and 4 drain pins. The function of this device is to control the flow of current between the source and drain pins based on the voltage applied to the gate pins.

  • Manufacturer

    Vishay Semiconductors is the manufacturer of SISS71DN-T1-GE3. It is a global company that specializes in the design and production of electronic components, including discrete semiconductors, diodes, and MOSFETs for various industries such as automotive, industrial, and telecommunications.

  • Application Field

    SISS71DN-T1-GE3 is commonly used in power management systems, motor control applications, and industrial automation. It can also be utilized in solar inverters, switch mode power supplies, and LED lighting. Its high efficiency, low on-resistance, and robust construction make it suitable for a wide range of power electronics applications.

  • Package

    The SISS71DN-T1-GE3 chip is a dual N-channel MOSFET in a Surface Mount PowerPAK package. It has a form factor of DFN, with a size of 2mm x 2mm x 0.57mm.

BS250KL-TR1-E3

2N7002E

SIHG20N50C-E3

IRLR110PBF

IRFS9N60APBF

IRFU120

IRFPS37N50A

IRFP9240PBF

CC10-2412SF-E

WF30-40B410

CD4069UBM

7M48072002

MCP6002T-I/SN

LP2951ACM

MGW302412

DS1225Y-200

ATMEGA48-20AU

AT93C46DN-SH-T

LM3046M

VSC8531XMW

SP336EEY-L

MC33063ADG

APT1608LZGCK

B320A-13-F

NJM2068LD

ADRF5040BCPZ

STM32F412CGU6

MK24FN1M0VLQ12

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