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$5000
vishay SIHG20N50C-E3
N-Channel 500 V 20A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Marcas: Vishay
Parte do fabricante #: SIHG20N50C-E3
Ficha de dados: SIHG20N50C-E3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $1,193 | $1,193 |
| 10 | $1,089 | $10,890 |
| 25 | $1,000 | $25,000 |
| 100 | $0,931 | $93,100 |
| 500 | $0,902 | $451,000 |
| 1000 | $0,887 | $887,000 |
Em estoque: 9.458 PCS
SIHG20N50C-E3 Descrição geral
N-Channel 500 V 20A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Características
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V | Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 270 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | Qg - Gate Charge: | 65 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 250 mW | Channel Mode: | Enhancement |
| Packaging: | Tube | Brand: | Vishay / Siliconix |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 44 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 6.4 S | Height: | 20.82 mm |
| Length: | 15.87 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 27 ns | Factory Pack Quantity: | 500 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 32 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 80 ns |
| Width: | 5.31 mm |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
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Embalagem
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Part points
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The SIHG20N50C-E3 is a power MOSFET semiconductor designed for high voltage and high-speed switching applications. It features a drain-source voltage rating of 500V, a continuous drain current of 20A, and low on-resistance for efficient operation. This chip is commonly used in power supplies, motor control, and lighting applications.
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Equivalent
The equivalent products of the SIHG20N50C-E3 chip include the STW21N50K3, IRG4BC20UDPBF, and FGH60N60SMD. These are MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics suitable for power switching applications. -
Features
The SIHG20 -
Pinout
The SIHG20N50C-E3 is a MOSFET transistor with a pin count of 3. Its functions include regulating and controlling voltage and current in electronic circuits. It has a maximum voltage of 500V and current of 20A. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of the SIHG20N50C-E3. It is a German semiconductor manufacturing company specializing in power semiconductors, sensors, and microcontrollers. Founded in 1999, Infineon is one of the largest semiconductor companies in the world with a strong focus on automotive, industrial, renewable energy, and security applications. -
Application Field
The SIHG20N50C-E3 is commonly used in applications requiring high voltage and current handling capabilities, such as power supplies, motor control, and switch-mode power supplies. Its features make it suitable for various industrial, automotive, and renewable energy applications, including inverters, welding equipment, and solar inverters. -
Package
The SIHG20N50C-E3 chip is a power MOSFET with a TO-247AC package type, a through-hole mounting form, and dimensions typically measuring 15.75mm x 20.17mm x 4.83mm (L x W x H).
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